SiC obložen polumjesečevim dijelom bubanj koji se koristi u SiC epitaksijalnoj opremi

SiC presvučen polumjesečev dio bubnja koji se koristi u SiC epitaksijalnoj opremi Istaknuta slika

Kratki opis:

Predstavljanje i uporaba proizvoda: spojena kvarcna cijev, može propuštati plin za pokretanje rotacije baze ladice, kontrola temperature

Mjesto proizvoda u uređaju: u reakcijskoj komori, bez izravnog kontakta s pločicom

Glavni daljnji proizvodi: uređaji za napajanje

Glavno tržište terminala: nova energetska vozila

Pošaljite nam e-poštu Preuzmite kao PDF

Pojedinosti o proizvodu

Oznake proizvoda

SiC obložen grafitnim polumjesečevim dijelomis a ključkomponenta koja se koristi u procesima proizvodnje poluvodiča, posebno za SiC epitaksijalnu opremu.Koristimo našu patentiranu tehnologiju za izradu polumjesecaizuzetno visoke čistoće,dobropremazivanjeujednačenosti izvrstan vijek trajanja, kao ivisoka svojstva kemijske otpornosti i toplinske stabilnosti.

VET Energy je thepravi proizvođač prilagođenih proizvoda od grafita i silicij karbida s CVD premazom,može opskrbitirazneprilagođeni dijelovi za poluvodičku i fotonaponsku industriju. Onaš tehnički tim dolazi iz vrhunskih domaćih istraživačkih institucija, može pružiti profesionalnija materijalna rješenjaza vas.

Kontinuirano razvijamo napredne procese kako bismo osigurali naprednije materijale,irazradili su ekskluzivnu patentiranu tehnologiju koja može učiniti spoj između premaza i podloge čvršćim i manje sklonim odvajanju.

Fkarakteristike naših proizvoda:

1. Otpornost na oksidaciju na visokim temperaturama do 1700℃.
2. Visoka čistoća itoplinska jednolikost
3. Izvrsna otpornost na koroziju: kiseline, lužine, soli i organski reagensi.
4. Visoka tvrdoća, kompaktna površina, fine čestice.
5. Duži vijek trajanja i izdržljiviji

KVB SiC薄膜基本物理性能 Osnovna fizikalna svojstva CVD SiCpremazivanje
性质 / Vlasništvo	典型数值 / Tipična vrijednost
晶体结构 / Kristalna struktura	FCC β faza多晶，主要为（111）取向
密度 / Gustoća	3,21 g/cm³
硬度 / Tvrdoća	2500 维氏硬度（500g opterećenja）
晶粒大小 / Veličina zrna	2~10 μm
纯度 / Kemijska čistoća	99,99995%
热容 / Kapacitet topline	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Temperatura sublimacije	2700 ℃
抗弯强度 / Čvrstoća na savijanje	415 MPa RT 4 točke
杨氏模量 / Youngov modul	430 Gpa 4pt zavoj, 1300 ℃
导热系数 / ThermalProvodljivost	300 W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Toplinska ekspanzija (CTE)	4,5×10^-6K^-1