SiC Coated Graphite Halfmoon Partis a kaaikomponint brûkt yn semiconductor manufacturing prosessen, benammen foar SiC epitaxial apparatuer.Wy brûke ús patintearre technology om it healmoanne diel mei te meitsjenekstreem hege suverens,goedcoatinguniformiteiten in poerbêste tsjinst libben, lykashege gemyske ferset en termyske stabiliteit eigenskippen.
VET Energy is deechte fabrikant fan oanpaste grafyt- en silisiumkarbidprodukten mei CVD-coating,leverje kinneferskateoanpaste dielen foar semiconductor en fotovoltaïsche yndustry. Our technyske team komt út top ynlânske ûndersyk ynstellings, kin leverje mear profesjonele materiaal oplossingsfoar dy.
Wy ûntwikkelje kontinu avansearre prosessen om mear avansearre materialen te leverjen,enhawwe útwurke in eksklusive patintearre technology, dy't kin meitsje de bonding tusken de coating en it substraat strakkere en minder gefoelich foar losmeitsjen.
Feigenskippen fan ús produkten:
1. Hege temperatuer oksidaasjebestriding oant 1700℃.
2. Hege suverens entermyske uniformiteit
3. Excellent corrosie ferset: soere, alkali, sâlt en organyske reagents.
4. Hege hurdens, kompakt oerflak, fyn dieltsjes.
5. Langere libbensdoer en duorsumer
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Basis fysike eigenskippen fan CVD SiCcoating | |
| 性质 / Eigenskip | 典型数值 / Typyske Wearde |
| 晶体结构 / Crystal Struktuer | FCC β faze多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Tichtheid | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Hurdens | 2500 维氏硬度（500g lading） |
| 晶粒大小 / Grain Grutte | 2~10μm |
| 纯度 / Chemical Purity | 99.99995% |
| 热容 / Heat Kapasiteit | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimation Temperatur | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Flexural Strength | 415 MPa RT 4-punt |
| 杨氏模量 / Jongens Modulus | 430 Gpa 4pt bocht, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalConductivity | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Thermal Expansion (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Fan herte wolkom om ús fabryk te besykjen, litte wy fierdere diskusje hawwe!
