Dizze 6 Inch N Type SiC Wafer is ûntworpen foar ferbettere prestaasjes yn ekstreme omstannichheden, wêrtroch it in ideale kar is foar applikaasjes dy't hege krêft- en temperatuerresistinsje fereaskje. Wichtige produkten ferbûn mei dizze wafer omfetsje Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, en SiN Substrate. Dizze materialen soargje foar optimale prestaasjes yn in ferskaat oan produksjeprosessen foar semiconductor, wêrtroch apparaten sawol enerzjysunich as duorsum binne.
Foar bedriuwen dy't wurkje mei Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, Cassette, of AlN Wafer, leveret VET Energy's 6 Inch N Type SiC Wafer de nedige basis foar ynnovative produktûntwikkeling. Oft it no is yn elektroanika mei hege krêft as de lêste yn RF-technology, dizze wafels soargje foar poerbêste konduktiviteit en minimale termyske wjerstân, en ferleget de grinzen fan effisjinsje en prestaasjes.
WAFERING SPESIFIKASJES
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Semi-isolearjend
Ûnderdiel | 8-ynch | 6-ynch | 4-ynch | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Absolute wearde | ≤15μm | ≤15μm | ≤25 μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
Wafer Edge | Beveling |
SURFACE FINISH
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Semi-isolearjend
Ûnderdiel | 8-ynch | 6-ynch | 4-ynch | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Oerflak Finish | Dûbele side Optical Poalsk, Si- Face CMP | ||||
Oerflak Roughness | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Edge Chips | Gjin tastien (lingte en breedte≥0.5mm) | ||||
Ynspringen | Gjin tastien | ||||
Krassen (Si-Face) | Oantal.≤5, kumulatyf | Oantal.≤5, kumulatyf | Oantal.≤5, kumulatyf | ||
Kraken | Gjin tastien | ||||
Râne útsluting | 3 mm |