Revêtement en carbure de siliciumLe disque de graphite est constitué d'une couche protectrice de carbure de silicium déposée par dépôt physique ou chimique en phase vapeur et par pulvérisation. Cette couche adhère fortement à la matrice de graphite, rendant la surface dense et exempte de porosités. Elle confère ainsi à la matrice de graphite des propriétés spécifiques, telles que la résistance à l'oxydation, aux acides et aux bases, à l'érosion et à la corrosion. Actuellement, le revêtement de graphite est un composant essentiel pour la croissance épitaxiale du carbure de silicium.
Le carbure de silicium est le matériau de base des semi-conducteurs à large bande interdite de nouvelle génération. Ses composants présentent une excellente résistance aux hautes températures, aux hautes tensions, aux hautes fréquences, aux fortes puissances et aux radiations. Ils offrent une vitesse de commutation rapide et un rendement élevé, permettant de réduire considérablement la consommation d'énergie, d'améliorer l'efficacité de conversion énergétique et de diminuer l'encombrement. Principalement utilisés dans les communications 5G, la défense et l'industrie militaire, ils offrent des perspectives de marché prometteuses tant civiles que militaires, notamment dans les domaines des radiofréquences (représenté par l'aérospatiale) et de l'électronique de puissance (représenté par les véhicules à énergies nouvelles et les nouvelles infrastructures).
Le substrat en carbure de silicium est le matériau de base du semi-conducteur à large bande interdite de nouvelle génération. Il est principalement utilisé en électronique micro-ondes, en électronique de puissance et dans d'autres domaines.Le carbure de silicium se situe en amont de la chaîne de valeur de l'industrie des semi-conducteurs à large bande interdite et constitue un matériau clé de pointe. On distingue deux types de substrats en carbure de silicium : semi-isolant et conducteur. Le substrat semi-isolant présente une résistivité élevée (≥ 10⁵ Ω·cm). Associé à une couche épitaxiale hétérogène de nitrure de gallium, il est utilisé pour la fabrication de dispositifs RF, notamment dans les domaines de la communication 5G, de la défense et de l'industrie militaire. Le substrat conducteur, quant à lui, se caractérise par une faible résistivité (de l'ordre de 15 à 30 mΩ·cm). L'épitaxie homogène de ce substrat sur du carbure de silicium conducteur permet de réaliser des dispositifs de puissance. Ses principales applications concernent les véhicules électriques, les réseaux électriques et d'autres domaines.
Date de publication : 21 février 2022