SiC-pinnoitettu grafiitti puolikuuosais a avainpuolijohteiden valmistusprosesseissa käytettävä komponentti, erityisesti piikarbidiepitaksiaalisissa laitteissa.Käytämme patentoitua tekniikkaamme puolikuun valmistukseenerittäin korkea puhtausaste,hyväpinnoiteyhtenäisyysja erinomainen käyttöikä, samoin kuinkorkea kemiallinen kestävyys ja lämpöstabiilisuusominaisuudet.
VET Energy on thetodellinen räätälöityjen grafiitti- ja piikarbidituotteiden valmistaja CVD-pinnoitteella,voi toimittaaeriräätälöidyt osat puolijohde- ja aurinkosähköteollisuudelle. OTekninen tiimimme tulee parhaista kotimaisista tutkimuslaitoksista, ja se voi tarjota ammattimaisempia materiaaliratkaisujasinulle.
Kehitämme jatkuvasti edistyneitä prosesseja tarjotaksemme kehittyneempiä materiaaleja,jaovat kehittäneet ainutlaatuisen patentoidun teknologian, joka voi tehdä pinnoitteen ja alustan välisestä sidoksesta tiukemman ja vähemmän altis irtoamiselle.
Ftuotteidemme ominaisuudet:
1. Korkean lämpötilan hapettumiskestävyys jopa 1700℃.
2. Korkea puhtaus jalämpötasaisuus
3. Erinomainen korroosionkestävyys: happo, alkali, suola ja orgaaniset reagenssit.
4. Korkea kovuus, kompakti pinta, hienojakoisia hiukkasia.
5. Pidempi käyttöikä ja kestävämpi
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC:n fysikaaliset perusominaisuudetpinnoite | |
| 性质 / Omaisuus | 典型数值 / Tyypillinen arvo |
| 晶体结构 / Crystal Structure | FCC p-vaihe多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Tiheys | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Kovuus | 2500 维氏硬度 (500 g kuorma) |
| 晶粒大小 / viljan koko | 2-10 μm |
| 纯度 / Kemiallinen puhtaus | 99,99995 % |
| 热容 / Lämpökapasiteetti | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimaatiolämpötila | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Taivutusvoima | 415 MPa RT 4-piste |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt taivutus, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalJohtavuus | 300 W · m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Lämpölaajeneminen (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
Lämpimästi tervetuloa vierailemaan tehtaallamme, keskustellaan lisää!
