Ensinnäkin meidän on tiedettäväPECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Plasma on materiaalimolekyylien lämpöliikkeen tehostaminen. Niiden välinen törmäys saa kaasumolekyylit ionisoitumaan ja materiaalista tulee seos vapaasti liikkuvia positiivisia ioneja, elektroneja ja neutraaleja hiukkasia, jotka ovat vuorovaikutuksessa keskenään.
On arvioitu, että valon heijastushäviö piipinnalla on jopa noin 35 %. Heijastuksenestokalvo voi parantaa huomattavasti akkukennon aurinkovalon käyttöastetta, mikä auttaa lisäämään valon tuottamaa virrantiheyttä ja siten parantamaan muunnostehokkuutta. Samaan aikaan kalvossa oleva vety passivooi akkukennon pinnan, vähentää emitteriliitoksen pinnan rekombinaationopeutta, vähentää pimeää virtaa, lisää avoimen piirin jännitettä ja parantaa valosähköistä muunnostehokkuutta. Läpipolttoprosessissa tapahtuva korkean lämpötilan hetkellinen hehkutus rikkoo joitain Si-H- ja NH-sidoksia, ja vapautunut H vahvistaa entisestään akun passivointia.
Koska aurinkosähkölaatuiset piimateriaalit sisältävät väistämättä suuren määrän epäpuhtauksia ja vikoja, vähemmistön kantoaallon käyttöikä ja diffuusion pituus piissä lyhenevät, mikä johtaa akun muunnostehokkuuden heikkenemiseen. H voi reagoida piin vikojen tai epäpuhtauksien kanssa siirtäen siten kaistavälin energiakaistan valenssikaistaksi tai johtavuuskaistaksi.
1. PECVD-periaate
PECVD-järjestelmä on sarja generaattoreita, jotka käyttävätPECVD grafiittivene ja korkeataajuiset plasmavirittimet. Plasmageneraattori asennetaan suoraan pinnoitelevyn keskelle reagoimaan alhaisessa paineessa ja korkeassa lämpötilassa. Käytetyt aktiiviset kaasut ovat silaani SiH4 ja ammoniakki NH3. Nämä kaasut vaikuttavat piikiekkoon varastoituun piinitridiin. Erilaisia taitekertoimia voidaan saada muuttamalla silaanin ja ammoniakin suhdetta. Saostusprosessin aikana syntyy suuri määrä vetyatomeja ja vetyioneja, mikä tekee kiekon vetypassivoinnista erittäin hyvän. Tyhjiössä ja ympäristön lämpötilassa 480 celsiusastetta piikiekon pinnalle päällystetään SixNy-kerros johtamallaPECVD grafiittivene.
3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2
2. Si3N4
Si3N4-kalvon väri muuttuu paksuuden mukaan. Yleensä ihanteellinen paksuus on 75-80 nm, joka näyttää tummansiniseltä. Si3N4-kalvon taitekerroin on paras välillä 2,0-2,5. Alkoholia käytetään yleensä sen taitekertoimen mittaamiseen.
Erinomainen pinnan passivointi, tehokas optinen heijastuksenestokyky (paksuuden taitekertoimen sovitus), alhaisen lämpötilan prosessi (tehokkaasti kustannuksia vähentävä) ja syntyneet H-ionit passivoivat piikiekon pinnan.
3. Yhteiset asiat päällystyspajassa
Kalvon paksuus:
Saostusaika on erilainen eri kalvopaksuuksille. Pinnoitusaikaa tulee pidentää tai lyhentää sopivasti pinnoitteen värin mukaan. Jos kalvo on valkeahko, pinnoitusaikaa tulee lyhentää. Jos se on punertava, sitä on lisättävä asianmukaisesti. Jokainen kalvovene on vahvistettava täysin, eikä viallisten tuotteiden anneta virrata seuraavaan prosessiin. Esimerkiksi jos pinnoite on huono, kuten väritäplät ja vesileimat, tuotantolinjan yleisimmät pinnan vaalenemat, värierot ja valkoiset täplät kannattaa poimia ajoissa. Pinnan valkaisu johtuu pääasiassa paksusta piinitridikalvosta, jota voidaan säätää säätämällä kalvon kerrostumisaikaa; värierokalvo johtuu pääasiassa kaasupolun tukkeutumisesta, kvartsiputken vuodosta, mikroaaltouunin epäonnistumisesta jne.; valkoiset täplät johtuvat pääasiassa edellisen prosessin pienistä mustista täplistä. Heijastavuuden, taitekertoimen jne. valvonta, erikoiskaasujen turvallisuus jne.
Pinnassa valkoisia täpliä:
PECVD on suhteellisen tärkeä prosessi aurinkokennoissa ja tärkeä indikaattori yrityksen aurinkokennojen tehokkuudelle. PECVD-prosessi on yleensä kiireinen, ja jokaista soluerää on valvottava. Päällystysuuniputkia on monia, ja jokaisessa putkessa on yleensä satoja kennoja (laitteistosta riippuen). Prosessiparametrien muuttamisen jälkeen varmennusjakso on pitkä. Päällystystekniikka on tekniikka, jota koko aurinkosähköteollisuus pitää erittäin tärkeänä. Aurinkokennojen tehokkuutta voidaan parantaa parantamalla pinnoitustekniikkaa. Tulevaisuudessa aurinkokennojen pintateknologiasta voi tulla läpimurto aurinkokennojen teoreettisessa tehokkuudessa.
Postitusaika: 23.12.2024