suscetpor با پوشش SiC یک جزء کلیدی است که در فرآیندهای مختلف تولید نیمه هادی استفاده می شود. ما از فناوری ثبت اختراع خود برای ساخت suscetpor با پوشش SiC با خلوص بسیار بالا، یکنواختی پوشش خوب و عمر مفید عالی و همچنین مقاومت شیمیایی بالا و خواص پایداری حرارتی استفاده می کنیم.
ویژگی های محصولات ما:
1. مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا تا 1700 ℃.
2. خلوص بالا و یکنواختی حرارتی
3. مقاومت در برابر خوردگی عالی: اسید، قلیایی، نمک و معرف های آلی.
4. سختی بالا، سطح فشرده، ذرات ریز.
5. عمر طولانی تر و بادوام تر
| CVD SiC薄膜基本物理性能 خواص فیزیکی اولیه CVD SiCپوشش | |
| 性质 / اموال | 典型数值 / ارزش معمولی |
| 晶体结构 / ساختار کریستالی | فاز β FCC多晶，主要为（111 ）取向 |
| 密度 / تراکم | 3.21 گرم بر سانتی متر مکعب |
| 硬度 / سختی | 2500 维氏硬度 (500 گرم بار) |
| 晶粒大小 / Grain SiZe | 2 تا 10 میکرومتر |
| 纯度 / خلوص شیمیایی | 99.99995% |
| 热容 / ظرفیت حرارتی | 640 ژون کیلوگرم-1· K-1 |
| 升华温度 / دمای تصعید | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / قدرت خمشی | 415 مگاپاسکال RT 4 نقطه |
| 杨氏模量 / مدول یانگ | 430 Gpa خم 4pt، 1300 ℃ |
| 导热系数 / ترمالرسانایی | 300W·m-1· K-1 |
| 热膨胀系数 / انبساط حرارتی (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
به گرمی از شما برای بازدید از کارخانه ما استقبال می کنیم، بیایید بحث بیشتری داشته باشیم!
