زیرلایه گرافیتی روکش شده با کاربید سیلیکون برای نیمه هادی ها، MOCVD Susceptor

زیرلایه گرافیتی با روکش کاربید سیلیکون برای نیمه هادی، MOCVD Susceptor تصویر ویژه

توضیحات کوتاه:

VET Energy SiC Coated Susceptor محصولی با کارایی بالا است که برای ارائه عملکرد ثابت و قابل اعتماد در مدت زمان طولانی طراحی شده است. دارای مقاومت حرارتی و یکنواختی حرارتی فوق العاده خوب، خلوص بالا، مقاومت در برابر فرسایش است که آن را به راه حل عالی برای کاربردهای پردازش ویفر تبدیل می کند.

محل مبدا:ژجیانگ، چین (سرزمین اصلی)

شماره مدل:شماره مدل:

ترکیب شیمیایی:گرافیت با پوشش SiC

استحکام خمشی:470 مگاپاسکال

هدایت حرارتی:300 W/mK

کیفیت:عالی

عملکرد:CVD-SiC

کاربرد:نیمه هادی / فتوولتائیک

تراکم:3.21 گرم بر سی سی

انبساط حرارتی:4 10-6/K

خاکستر: <5ppm

نمونه:در دسترس است

کد HS:6903100000

برای ما ایمیل بفرستید دانلود به صورت PDF

جزئیات محصول

برچسب های محصول

VET Energy Coated SiC Susceptorیک راه حل با کارایی بالا است که به دقت ساخته شده است تا عملکرد قابل اعتماد و ثابتی را در طول عمر طولانی ارائه دهد و نیازهای سختگیرانه تولید نیمه هادی ها را برآورده کند. این محصول با داشتن مقاومت حرارتی استثنایی، یکنواختی حرارتی عالی و خلوص بالا، برای حامل‌های ویفر MOCVD و سایر کاربردهای پردازش ویفر که نیاز به ثبات و دقت دارند، ایده‌آل است. مقاومت در برابر فرسایش قوی آن را به یک انتخاب عالی برای محیط هایی که دوام و انعطاف پذیری شیمیایی ضروری است تبدیل می کند.

ماگیرنده گرافیت با پوشش SiCبه عنوان یک جزء حیاتی در فرآیند تولید نیمه هادی ها می ایستد و از فناوری انحصاری ثبت شده VET Energy برای دستیابی به خلوص بسیار بالا، یکنواختی پوشش برتر و پایداری حرارتی قابل توجه استفاده می کند. این پوشش، بستر گرافیت را با مقاومت شیمیایی بالا و عمر مفید قابل توجهی افزایش می دهد. تعهد VET Energy به کیفیت منجر به ایجاد یک گیرنده با پوشش SiC شده است که نیازهای در حال تحول بازار حامل ویفر گرافیتی را برآورده می کند و استاندارد بالایی را برای گیرنده های گرافیتی با پوشش SiC ایجاد می کند.فرآیندهای MOCVD.

ویژگی های کلیدی گیرنده های پوشش داده شده SiC:

1. مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا:مقاومت در برابر درجه حرارت تا 1700 درجه سانتیگراد، آن را برای شرایط سخت پردازش مناسب می کند.

2. خلوص بالا و یکنواختی حرارتی:تضمین نتایج ثابت، حیاتی برایگیرنده های MOCVDو سایر کاربردهای دقیق

3. مقاومت در برابر خوردگی عالی:در برابر اسید، قلیایی، نمک و معرف های آلی مختلف مقاوم است.

4. افزایش سختی سطح:سطح فشرده با ذرات ریز که دوام و طول عمر بالاتری را ارائه می دهد.

5. عمر سرویس طولانی تر:طراحی شده برای عملکرد پایدار، عملکرد بهتر از گیرنده های پوشش داده شده با کاربید سیلیکون استاندارد در محیط های پردازش خشن.

به عنوان یک تولید کننده پیشرو، VET Energy در گرافیت سفارشی ومحصولات کاربید سیلیکونبا گزینه های مختلف پوشش، از جملهپوشش SiC, پوشش TaC, پوشش کربن شیشه ایو پوشش کربن پیرولیتیک. ما با افتخار به صنایع نیمه هادی و فتوولتائیک خدمت می کنیم و گیرنده های گرافیت با پوشش کاربید سیلیکون را ارائه می دهیم که نیازهای عملیاتی خاص را برآورده می کند.

تیم فنی ما، با تجربه از موسسات تحقیقاتی برتر داخلی، وقف پیشبرد راه حل های مواد برای نیازهای در حال تکامل است.گیرنده گرافیت با پوشش SiCبازار از طریق فرآیند ثبت اختراع ما، VET Energy فناوری منحصر به فردی را توسعه داده است که به طور قابل توجهی استحکام پیوند بین پوشش کاربید سیلیکون و بستر را بهبود می بخشد و خطر جدا شدن را کاهش می دهد و قابلیت اطمینان طولانی مدت را افزایش می دهد.

کاربردها و مزایا در پردازش نیمه هادی

اینپوشش SiC برای MOCVDرا قادر می سازدگیرنده گرافیتاجزای سازنده برای حفظ یکپارچگی در محیط های با دمای بالا و خورنده، که برای تولید نیمه هادی های دقیق حیاتی است. این اجزای گرافیت با پوشش SiC به ویژه در فرآیندهایی که نیاز به گیرنده های پوشش داده شده با کاربید سیلیکون دارند، ارزشمند هستند.حامل های ویفر گرافیتیکه مستلزم پایداری حرارتی بالا، خلوص و مقاومت در برابر فرسایش شیمیایی هستند.

با تکنیک های پیشرفته پوشش کاربید سیلیکون، VET Energy با ارائه سفارشی و کارایی بالا به حمایت از بازار حامل ویفر گرافیتی ادامه می دهد.گیرنده های گرافیت با پوشش SiCکه به چالش های خاص صنعت، از فرآیندهای MOCVD گرفته تا کاربردهای با خلوص بالا در زمینه نیمه هادی ها می پردازد.