زیرلایه گرافیتی روکش شده با کاربید سیلیکون برای نیمه هادی، گیرنده MOCVD

ویژگی های کلیدی گیرنده های پوشش داده شده SiC:

1. مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا:مقاومت در برابر درجه حرارت تا 1700 درجه سانتیگراد، آن را برای شرایط سخت پردازش مناسب می کند.

2. خلوص بالا و یکنواختی حرارتی:تضمین نتایج ثابت، حیاتی برایگیرنده های MOCVDو سایر کاربردهای دقیق

3. مقاومت در برابر خوردگی عالی:در برابر اسید، قلیایی، نمک و معرف های آلی مختلف مقاوم است.

4. افزایش سختی سطح:سطح فشرده با ذرات ریز که دوام و طول عمر بالاتری را ارائه می دهد.

5. عمر سرویس طولانی تر:طراحی شده برای عملکرد پایدار، عملکرد بهتر از گیرنده های پوشش داده شده با کاربید سیلیکون استاندارد در محیط های پردازش خشن.

به عنوان یک تولید کننده پیشرو، VET Energy در گرافیت سفارشی ومحصولات کاربید سیلیکونبا گزینه های مختلف پوشش، از جملهپوشش SiC, پوشش TaC, پوشش کربن شیشه ایو پوشش کربن پیرولیتیک. ما با افتخار به صنایع نیمه هادی و فتوولتائیک خدمت می کنیم و گیرنده های گرافیت با پوشش کاربید سیلیکون را ارائه می دهیم که نیازهای عملیاتی خاص را برآورده می کند.

تیم فنی ما، با تجربه از موسسات تحقیقاتی برتر داخلی، وقف پیشبرد راه حل های مواد برای نیازهای در حال تکامل است.گیرنده گرافیت با پوشش SiCبازار از طریق فرآیند ثبت اختراع ما، VET Energy فناوری منحصر به فردی را توسعه داده است که به طور قابل توجهی استحکام پیوند بین پوشش کاربید سیلیکون و بستر را بهبود می بخشد و خطر جدا شدن را کاهش می دهد و قابلیت اطمینان طولانی مدت را افزایش می دهد.