ویفر سیلیکونی 12 اینچی برای ساخت نیمه هادی ارائه شده توسط VET Energy برای مطابقت با استانداردهای دقیق مورد نیاز در صنعت نیمه هادی مهندسی شده است. به عنوان یکی از محصولات پیشرو در خط تولید ما، VET Energy تضمین میکند که این ویفرها با صافی، خلوص و کیفیت سطحی دقیق تولید میشوند و آنها را برای کاربردهای نیمهرسانای پیشرفته از جمله ریزتراشهها، حسگرها و دستگاههای الکترونیکی پیشرفته ایدهآل میکند.
این ویفر با طیف وسیعی از مواد مانند سی ویفر، زیرلایه SiC، ویفر SOI، بستر SiN و ویفر Epi سازگار است و تطبیق پذیری عالی را برای فرآیندهای مختلف ساخت فراهم می کند. علاوه بر این، به خوبی با فناوریهای پیشرفته مانند گالیوم اکسید Ga2O3 و ویفر AlN جفت میشود و تضمین میکند که میتوان آن را در برنامههای بسیار تخصصی ادغام کرد. برای عملکرد روان، ویفر برای استفاده با سیستمهای کاست استاندارد صنعتی بهینه شده است و از کارآمدی کار در تولید نیمههادی اطمینان میدهد.
خط تولید VET Energy به ویفرهای سیلیکونی محدود نمی شود. ما همچنین طیف گسترده ای از مواد زیرلایه نیمه هادی، از جمله بستر SiC، ویفر SOI، بستر SiN، ویفر Epi، و غیره و همچنین مواد نیمه هادی جدید با فاصله باند گسترده مانند گالیوم اکسید Ga2O3 و ویفر AlN را ارائه می دهیم. این محصولات می توانند نیازهای کاربردی مشتریان مختلف در الکترونیک قدرت، فرکانس رادیویی، حسگرها و سایر زمینه ها را برآورده کنند.
حوزه های کاربردی:
•تراشه های منطقی:ساخت تراشه های منطقی با کارایی بالا مانند CPU و GPU.
•تراشه های حافظه:ساخت تراشه های حافظه مانند DRAM و NAND Flash.
•تراشه های آنالوگ:ساخت تراشه های آنالوگ مانند ADC و DAC.
•حسگرها:سنسورهای MEMS، حسگرهای تصویر و غیره
VET Energy راهحلهای ویفر سفارشی را به مشتریان ارائه میکند و میتواند ویفرها را با مقاومتهای مختلف، محتوای اکسیژن متفاوت، ضخامتهای مختلف و سایر مشخصات را با توجه به نیازهای خاص مشتریان سفارشی کند. علاوه بر این، ما همچنین پشتیبانی فنی حرفه ای و خدمات پس از فروش را برای کمک به مشتریان در بهینه سازی فرآیندهای تولید و بهبود عملکرد محصول ارائه می دهیم.
مشخصات ویفرینگ
*n-Pm=n-نوع Pm-Grade,n-Ps=n-نوع Ps-Grade,Sl=نیمه عایق
مورد | 8 اینچ | 6 اینچ | 4 اینچ | ||
nP | n-PM | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 میلی متر | ≤6 میلی متر | |||
کمان (GF3YFCD) - ارزش مطلق | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR) - 10mmx10mm | <2μm | ||||
لبه ویفر | اریب |
پایان سطح
*n-Pm=n-نوع Pm-Grade,n-Ps=n-نوع Ps-Grade,Sl=نیمه عایق
مورد | 8 اینچ | 6 اینچ | 4 اینچ | ||
nP | n-PM | n-Ps | SI | SI | |
پایان سطح | پولیش نوری دو طرفه، Si- Face CMP | ||||
زبری سطح | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
تراشه های لبه | هیچکدام مجاز نیستند (طول و عرض ≥0.5 میلی متر) | ||||
تورفتگی ها | هیچ کدام مجاز نیست | ||||
خراش (Si-Face) | تعداد.≤5، تجمعی | تعداد.≤5، تجمعی | تعداد.≤5، تجمعی | ||
ترک ها | هیچ کدام مجاز نیست | ||||
حذف لبه | 3 میلی متر |