SiC kaetud grafiidist poolkuu osais a võtipooljuhtide tootmisprotsessides kasutatav komponent, eriti SiC epitaksiaalseadmete jaoks.Kasutame poolkuu osa valmistamiseks oma patenteeritud tehnoloogiatäärmiselt kõrge puhtusastmega,heakatmineühetaolisusja suurepärane kasutusiga, samutikõrge keemilise vastupidavuse ja termilise stabiilsuse omadused.
VET Energy on atõeline CVD-kattega kohandatud grafiidist ja ränikarbiidist toodete tootja,saab tarnidamitmesugusedkohandatud osad pooljuhtide ja fotogalvaanilise tööstuse jaoks. Omeie tehniline meeskond pärineb parimatest kodumaistest teadusasutustest ja suudab pakkuda professionaalsemaid materjalilahendusisinu jaoks.
Arendame pidevalt täiustatud protsesse, et pakkuda täiustatud materjale,jaon välja töötanud eksklusiivse patenteeritud tehnoloogia, mis muudab kattekihi ja aluspinna vahelise sideme tihedamaks ja vähem altid eraldumisele.
Fmeie toodete omadused:
1. Kõrge temperatuuri oksüdatsioonikindlus kuni 1700℃.
2. Kõrge puhtusastmega jatermiline ühtlus
3. Suurepärane korrosioonikindlus: happe, leelise, soola ja orgaanilised reaktiivid.
4. Kõrge kõvadus, kompaktne pind, peened osakesed.
5. Pikem kasutusiga ja vastupidavam
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC põhilised füüsikalised omadusedkatmine | |
| 性质 / Kinnisvara | 典型数值 / Tüüpiline väärtus |
| 晶体结构 / Kristallstruktuur | FCC β faas多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Tihedus | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Kõvadus | 2500 维氏硬度 (500 g koorem) |
| 晶粒大小 / Terasuurus | 2-10 μm |
| 纯度 / Keemiline puhtus | 99,99995% |
| 热容 / Soojusvõimsus | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimatsiooni temperatuur | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Paindetugevus | 415 MPa RT 4-punktiline |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt painutus, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalJuhtivus | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Soojuspaisumine (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
Tere tulemast meie tehast külastama, arutame edasi!
