El suscetpor recubierto de SiC es un componente clave utilizado en diversos procesos de fabricación de semiconductores. Utilizamos nuestra tecnología patentada para fabricar suscetpor recubierto de SiC con una pureza extremadamente alta, buena uniformidad de recubrimiento y una excelente vida útil, así como propiedades de alta resistencia química y estabilidad térmica.
Características de nuestros productos:
1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas hasta 1700 ℃.
2. Alta pureza y uniformidad térmica.
3. Excelente resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.
4. Alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
5. Vida útil más larga y más duradera
| ECV SiC薄膜基本物理性能 Propiedades físicas básicas de CVD SiCrevestimiento | |
| 性质 / Propiedad | 典型数值 / Valor típico |
| 晶体结构 / Estructura cristalina | Fase β de la FCC多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Densidad | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Dureza | 2500 libras (carga de 500 g) |
| 晶粒大小 / Tamaño del grano | 2~10μm |
| 纯度 / Pureza Química | 99,99995% |
| 热容 / Capacidad calorífica | 640 J·kg-1·k-1 |
| 升华温度 / Temperatura de sublimación | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Resistencia a la flexión | 415 MPa RT de 4 puntos |
| 杨氏模量 / Módulo de Young | Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃ |
| 导热系数 / TermayoConductividad | 300W·m-1·k-1 |
| 热膨胀系数 / Expansión Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Le damos una calurosa bienvenida a visitar nuestra fábrica, ¡discutamos más a fondo!
