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  • ¿Por qué se doblan las paredes laterales durante el grabado en seco?

    ¿Por qué se doblan las paredes laterales durante el grabado en seco?

    No uniformidad del bombardeo iónico El grabado en seco suele ser un proceso que combina efectos físicos y químicos, en el que el bombardeo iónico es un método de grabado físico importante. Durante el proceso de grabado, el ángulo de incidencia y la distribución de energía de los iones pueden ser desiguales. Si el ion incide...
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  • Introducción a tres tecnologías CVD comunes

    Introducción a tres tecnologías CVD comunes

    La deposición química de vapor (CVD) es la tecnología más utilizada en la industria de los semiconductores para depositar una variedad de materiales, incluida una amplia gama de materiales aislantes, la mayoría de los materiales metálicos y materiales de aleaciones metálicas. CVD es una tecnología tradicional de preparación de películas delgadas. Su princi...
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  • ¿Puede el diamante reemplazar otros dispositivos semiconductores de alta potencia?

    ¿Puede el diamante reemplazar otros dispositivos semiconductores de alta potencia?

    Los materiales semiconductores, piedra angular de los dispositivos electrónicos modernos, están experimentando cambios sin precedentes. Hoy en día, el diamante está mostrando gradualmente su gran potencial como material semiconductor de cuarta generación con sus excelentes propiedades eléctricas y térmicas y su estabilidad en condiciones extremas.
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  • ¿Cuál es el mecanismo de planarización de CMP?

    ¿Cuál es el mecanismo de planarización de CMP?

    Dual-Damascene es una tecnología de proceso utilizada para fabricar interconexiones metálicas en circuitos integrados. Se trata de un avance más del proceso de Damasco. Al formar agujeros y ranuras al mismo tiempo en el mismo paso del proceso y llenarlos con metal, la fabricación integrada de m...
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  • Grafito con revestimiento TaC

    Grafito con revestimiento TaC

    I. Exploración de parámetros del proceso 1. Sistema TaCl5-C3H6-H2-Ar 2. Temperatura de deposición: Según la fórmula termodinámica, se calcula que cuando la temperatura es mayor a 1273K, la energía libre de Gibbs de la reacción es muy baja y la La reacción es relativamente completa. La rea...
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  • Proceso de crecimiento de cristales de carburo de silicio y tecnología de equipos.

    Proceso de crecimiento de cristales de carburo de silicio y tecnología de equipos.

    1. La ruta de la tecnología de crecimiento de cristales de SiC PVT (método de sublimación), HTCVD (CVD de alta temperatura) y LPE (método de fase líquida) son tres métodos comunes de crecimiento de cristales de SiC; El método más reconocido en la industria es el método PVT, y más del 95% de los monocristales de SiC se cultivan mediante PVT...
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  • Preparación y mejora del rendimiento de materiales compuestos porosos de silicio y carbono.

    Preparación y mejora del rendimiento de materiales compuestos porosos de silicio y carbono.

    Las baterías de iones de litio se están desarrollando principalmente hacia una alta densidad de energía. A temperatura ambiente, los materiales de electrodos negativos a base de silicio se alean con litio para producir un producto rico en litio en fase Li3.75Si, con una capacidad específica de hasta 3572 mAh/g, que es mucho más alta que la teórica.
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  • Oxidación térmica de silicio monocristalino.

    Oxidación térmica de silicio monocristalino.

    La formación de dióxido de silicio en la superficie del silicio se llama oxidación, y la creación de dióxido de silicio estable y fuertemente adherente condujo al nacimiento de la tecnología plana de circuito integrado de silicio. Aunque hay muchas formas de hacer crecer dióxido de silicio directamente sobre la superficie del silicio...
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  • Procesamiento UV para empaques a nivel de oblea en abanico

    Procesamiento UV para empaques a nivel de oblea en abanico

    El envasado a nivel de oblea en abanico (FOWLP) es un método rentable en la industria de los semiconductores. Pero los efectos secundarios típicos de este proceso son la deformación y el desplazamiento de viruta. A pesar de la mejora continua de la tecnología de abanico a nivel de oblea y nivel de panel, estos problemas relacionados con el moldeo aún existen...
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