CAMPO DE APLICACIÓN
Aplicación y rendimiento del producto. Aplicaciones y usos del producto.
Si industria monocristalina, GaN, AlN, zafiro y otros pedestales MOCVD. -Recubrimiento a base de grafito para crecimiento epitaxial de silicio monocristalino.
Rendimiento principal: alta pureza, resistencia a la erosión, alta conductividad térmica, proceso MOCVD, recubrimiento base de grafito para crecimiento epitaxial de GaN.
Resistencia a altas temperaturas, bajo coeficiente de expansión térmica.
| Conductividad térmica | 250 W/m°K | Método de flash láser, RT |
| Expansión Térmica (CTE) | 4,5 x 10-6°K | Temperatura ambiente a 950 °C, dilatómetro de sílice |
| Propiedad | Valor | Método |
| Densidad | 3,21 g/cc | Fregadero-flotador y dimensión |
| Calor específico | 0,66 J/g°K | Flash láser pulsado |
| Resistencia a la flexión | 450MPa560MPa | Curva de 4 puntos, curvatura de punto RT4, 1300° |
| Dureza a la fractura | 2,94 MPa·m1/2 | Microindentación |
| Dureza | 2800 | Vicker's, carga de 500 g. |
| Módulo elástico Módulo de Young | 450 GPa430 GPa | Curva de 4 puntos, curvatura RT4 pt, 1300 °C |
| Tamaño de grano | 2 - 10 micras | SEM |
Pureza, estructura SEM, análisis de espesor deRecubrimiento de SiC
La pureza de los recubrimientos de SiC sobre grafito mediante el uso de CVD llega al 99,9995%. Su estructura es fcc. Las películas de SiC recubiertas de grafito están (111) orientadas como se muestra en los datos de XRD (Fig.1), lo que indica su alta calidad cristalina. El espesor de la película de SiC es muy uniforme como se muestra en la Fig. 2.
Fig. 2: espesor uniforme de las películas de SiC
La estructura cristalina de la película CVD SiC es una estructura cúbica centrada en las caras y la orientación de crecimiento de la película es cercana al 100%. 
SEM y XRD de película beta-SiC sobre grafito
BASE EPITAXIAL DE SILICIO DE CRISTAL ÚNICO
Rendimiento del producto y perspectivas de aplicación.
Recubierto de carburo de silicio (SiC)La base es la mejor base para el silicio monocristalino y la epitaxia de GaN, que es el componente central del horno de epitaxia. La base es un accesorio clave en la producción de silicio monocristalino para grandes circuitos integrados. Tiene alta pureza, resistencia a altas temperaturas, resistencia a la corrosión, buena estanqueidad al aire y otras excelentes características del material.
Aplicación y uso del producto.
Recubrimiento a base de grafito para crecimiento epitaxial de silicio monocristalino. Adecuado para máquinas Aixtron, etc. Espesor del recubrimiento: 90 ~ 150 um. El diámetro del cráter de la oblea es de 55 mm.
SOLAR FOTOVOLTAICA
GAupidpelitcubaetiaonnd
revestimiento de crisol de grafitopara silicio monocristalino mediante método de tracción directa
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