Novaĵoj

Enkonduko al la triageneracia semikonduktaĵo GaN kaj rilata epitaksa teknologio
de administranto la 24-06-25
1. Semikonduktaĵoj de la tria generacio La teknologio de duonkonduktaĵoj de la unua generacio estis disvolvita surbaze de materialoj de duonkonduktaĵoj kiel Si kaj Ge. Ĝi estas la materiala bazo por la disvolviĝo de transistoroj kaj integra cirkvito teknologio. La unuageneraciaj semikonduktaĵmaterialoj metis la f...
Legu pli
Nombra simuladstudo sur la efiko de pora grafito sur silicikarbura kristalkresko
de administranto la 24-06-18
La baza procezo de SiC-kristala kresko estas dividita en sublimadon kaj putriĝon de krudmaterialoj ĉe alta temperaturo, transportado de gasfazaj substancoj sub la ago de temperaturgradiento kaj rekristaliĝo-kresko de gasfazaj substancoj ĉe la sema kristalo. Surbaze de tio, la...
Legu pli
Specoj de Speciala Grafito
de administranto la 24-06-17
Speciala grafito estas alta pureco, alta denseco kaj alta fortika grafita materialo kaj havas bonegan korodan reziston, alttemperaturan stabilecon kaj grandan elektran konduktivecon. Ĝi estas farita el natura aŭ artefarita grafito post alttemperatura varmotraktado kaj altprema prilaborado...
Legu pli
Analizo de maldika filma deponekipaĵo - la principoj kaj aplikoj de PECVD/LPCVD/ALD-ekipaĵo
de administranto la 24-06-12
Maldika filma demetaĵo estas kovri tavolon de filmo sur la ĉefa substratmaterialo de la duonkonduktaĵo. Ĉi tiu filmo povas esti farita el diversaj materialoj, kiel izola kunmetita silicio-dioksido, duonkondukta polisilicio, metala kupro, ktp. La ekipaĵo uzata por tegaĵo nomiĝas maldika filmo-demetado...
Legu pli
Gravaj materialoj, kiuj determinas la kvaliton de monokristala silicio-kresko - termika kampo
de administranto la 24-06-12
La kreskoprocezo de monokristalina silicio estas tute efektivigita en la termika kampo. Bona termika kampo estas favora al plibonigo de la kvalito de kristaloj kaj havas pli altan kristaligan efikecon. La dezajno de la termika kampo plejparte determinas la ŝanĝojn en temperaturgradientoj ...
Legu pli
Kio estas la teknikaj malfacilaĵoj de silicio-karbura kristala kreska forno?
de administranto la 24-06-07
La kristalkreska forno estas la kerna ekipaĵo por silicikarbura kristala kresko. Ĝi estas simila al la tradicia kristala silicio-grada kristala kreskoforno. La strukturo de la forno ne estas tre komplika. Ĝi estas ĉefe kunmetita de forna korpo, hejtadosistemo, bobena dissenda mekanismo...
Legu pli
Kio estas la difektoj de silicio-karbura epitaksia tavolo
de administranto la 24-06-05
La kernteknologio por la kresko de SiC epitaksiaj materialoj estas unue difektokontrolteknologio, precipe por difektokontrolteknologio kiu estas inklina al aparato fiasko aŭ fidindeco-degenero. La studo de la mekanismo de substrataj difektoj etendiĝantaj en la epi...
Legu pli
Oksizita staranta greno kaj epitaxial kresko teknologio-Ⅱ
de administranto la 24-05-30
3. Epitaxial maldika filmo-kresko La substrato provizas fizikan subtenan tavolon aŭ konduktan tavolon por Ga2O3-potencaj aparatoj. La sekva grava tavolo estas la kanaltavolo aŭ epitaksa tavolo uzata por tensiorezisto kaj portanta transporto. Por pliigi paneotension kaj minimumigi konduton...
Legu pli
Galio-oksido ununura kristalo kaj epitaxial kresko teknologio
de administranto la 24-05-30
Larĝa bendinterspaco (WBG) duonkonduktaĵoj reprezentitaj per siliciokarbido (SiC) kaj galiumnitruro (GaN) ricevis ĝeneraligitan atenton. Homoj havas altajn atendojn pri la aplikaj perspektivoj de siliciokarbido en elektraj veturiloj kaj elektroretoj, same kiel la aplikaj perspektivoj de galio...
Legu pli