Αυτή η γκοφρέτα τύπου SiC 6 ιντσών N είναι σχεδιασμένη για βελτιωμένη απόδοση σε ακραίες συνθήκες, καθιστώντας την ιδανική επιλογή για εφαρμογές που απαιτούν υψηλή αντοχή σε ισχύ και θερμοκρασία. Τα βασικά προϊόντα που σχετίζονται με αυτήν τη γκοφρέτα περιλαμβάνουν το Si Wafer, το SiC Substrate, το SOI Wafer και το SiN Substrate. Αυτά τα υλικά εξασφαλίζουν βέλτιστη απόδοση σε μια ποικιλία διαδικασιών κατασκευής ημιαγωγών, επιτρέποντας συσκευές που είναι ενεργειακά αποδοτικές και ανθεκτικές.
Για εταιρείες που εργάζονται με Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, Cassette ή AlN Wafer, το 6 Inch N Type SiC Wafer της VET Energy παρέχει την απαραίτητη βάση για ανάπτυξη καινοτόμων προϊόντων. Είτε πρόκειται για ηλεκτρονικά υψηλής ισχύος είτε για την πιο πρόσφατη τεχνολογία RF, αυτές οι γκοφρέτες εξασφαλίζουν εξαιρετική αγωγιμότητα και ελάχιστη θερμική αντίσταση, υπερβαίνοντας τα όρια απόδοσης και απόδοσης.
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ ΓΚΟΦΡΟΛΙΑΣ
*n-Pm=n-τύπου Pm-Grade,n-Ps=n-τύπου Ps-Grade,Sl=Ημιμονωτικό
Είδος | 8-ιντσών | 6-ιντσών | 4-ιντσών | ||
nP | n-Mm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 μ | ≤6 μ | |||
Bow(GF3YFCD)-Απόλυτη τιμή | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Γκοφρέτα Edge | Λοξοτομή |
ΦΙΝΙΡΙΣΜΑ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΣ
*n-Pm=n-τύπου Pm-Grade,n-Ps=n-τύπου Ps-Grade,Sl=Ημιμονωτικό
Είδος | 8-ιντσών | 6-ιντσών | 4-ιντσών | ||
nP | n-Mm | n-Ps | SI | SI | |
Φινίρισμα επιφάνειας | Διπλής όψης Optical Polish, Si- Face CMP | ||||
Επιφανειακή τραχύτητα | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Τσιπς άκρων | Δεν επιτρέπεται (μήκος και πλάτος≥0,5mm) | ||||
Εσοχές | Δεν επιτρέπεται | ||||
Γρατσουνιές (Si-Face) | Ποσ.≤5,Σωρευτικό | Ποσ.≤5,Σωρευτικό | Ποσ.≤5,Σωρευτικό | ||
Ρωγμές | Δεν επιτρέπεται | ||||
Εξαίρεση άκρων | 3 χιλιοστά |