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Brennstoffzellen-Membranelektrode, kundenspezifisch MEA -1
Eine Membran-Elektroden-Einheit (MEA) ist ein zusammengesetzter Stapel aus: Protonenaustauschmembran (PEM) Katalysator-Gasdiffusionsschicht (GDL) Spezifikationen der Membran-Elektroden-Einheit: Dicke 50 μm. Größen 5 cm2, 16 cm2, 25 cm2, 50 cm2 oder 100 cm2 aktive Oberfläche. Katalysatorbeladungsanode = 0,5 ...Mehr lesen -
Neueste Innovation, kundenspezifische Brennstoffzellen-MEA für Elektrowerkzeuge/Boote/Fahrräder/Roller
Eine Membran-Elektroden-Einheit (MEA) ist ein zusammengesetzter Stapel aus: Protonenaustauschmembran (PEM) Katalysator-Gasdiffusionsschicht (GDL) Spezifikationen der Membran-Elektroden-Einheit: Dicke 50 μm. Größen 5 cm2, 16 cm2, 25 cm2, 50 cm2 oder 100 cm2 aktive Oberfläche. Katalysatorbeladungsanode = 0,5 ...Mehr lesen -
Einführung in das Anwendungsszenario der Wasserstoff-Energietechnologie
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Automatischer Reaktorproduktionsprozess
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd. ist ein in China ansässiges High-Tech-Unternehmen mit Schwerpunkt auf fortschrittlicher Materialtechnologie und Automobilprodukten. Wir sind professioneller Hersteller und Lieferant mit eigener Fabrik und eigenem Vertriebsteam.Mehr lesen -
Zwei elektrische Vakuumpumpen wurden nach Amerika verschifft
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Graphitfilz wurde nach Vietnam verschifft
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Auf der Graphitoberfläche wurde durch CVD-Verfahren eine oxidationsbeständige SiC-Beschichtung hergestellt
Eine SiC-Beschichtung kann durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD), Vorläuferumwandlung, Plasmaspritzen usw. hergestellt werden. Die durch CHEMISCHE Gasphasenabscheidung hergestellte Beschichtung ist gleichmäßig und kompakt und lässt sich gut gestalten. Verwendung von Methyltrichlorsilan. (CHzSiCl3, MTS) als Siliziumquelle, SiC-Beschichtungsvorbereitung...Mehr lesen -
Siliziumkarbidstruktur
Drei Haupttypen von Siliziumkarbid-Polymorphen Es gibt etwa 250 kristalline Formen von Siliziumkarbid. Da Siliziumkarbid eine Reihe homogener Polytypen mit ähnlicher Kristallstruktur aufweist, weist Siliziumkarbid die Eigenschaften eines homogenen Polykristalls auf. Siliziumkarbid (Mosanit)...Mehr lesen -
Forschungsstand der integrierten SiC-Schaltung
Im Gegensatz zu diskreten S1C-Geräten, die Hochspannungs-, Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperatureigenschaften anstreben, besteht das Forschungsziel der integrierten SiC-Schaltung hauptsächlich darin, Hochtemperatur-Digitalschaltungen für intelligente Leistungs-ICs-Steuerschaltungen zu erhalten. Als integrierte SiC-Schaltung für...Mehr lesen