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Halbleiterbauteile – SiC-beschichtete Graphitbasis
von Admin am 23.08.04
SiC-beschichtete Graphitsubstrate werden häufig zur Unterstützung und Erwärmung von Einkristallsubstraten in MOCVD-Anlagen (metallorganische chemische Gasphasenabscheidung) eingesetzt. Die thermische Stabilität, die thermische Gleichmäßigkeit und andere Leistungsparameter der SiC-beschichteten Graphitsubstrate spielen eine entscheidende Rolle für die Qualität der Epitaxieschichten.
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Warum Silizium als Halbleiterchip?
von Admin am 23.07.31
Ein Halbleiter ist ein Material, dessen elektrische Leitfähigkeit bei Raumtemperatur zwischen der eines Leiters und der eines Isolators liegt. So wie Kupferdraht im Alltag ein Leiter und Gummi ein Isolator ist. Hinsichtlich der Leitfähigkeit bezeichnet man als Halbleiter ein Material, das …
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Einfluss des Sinterns auf die Eigenschaften von Zirkonoxidkeramik
Von Admin am 23.07.2024
Einfluss des Sinterns auf die Eigenschaften von Zirkonoxidkeramik. Zirkoniumdioxid zeichnet sich als keramischer Werkstoff durch hohe Festigkeit, hohe Härte, gute Verschleißfestigkeit, Säure- und Laugenbeständigkeit, Hochtemperaturbeständigkeit und weitere hervorragende Eigenschaften aus. Neben seiner breiten Anwendung im industriellen Bereich…
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Halbleiterbauteile – SiC-beschichtete Graphitbasis
Von Admin am 23.07.2024
SiC-beschichtete Graphitsubstrate werden häufig zur Unterstützung und Erwärmung von Einkristallsubstraten in MOCVD-Anlagen (metallorganische chemische Gasphasenabscheidung) eingesetzt. Die thermische Stabilität, die thermische Gleichmäßigkeit und andere Leistungsparameter der SiC-beschichteten Graphitsubstrate spielen eine entscheidende Rolle für die Qualität der Epitaxieschichten.
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Bahnbrechendes Wachstum – Schlüsselmaterial
von Admin am 23.07.2021
Beim Wachstum von Siliciumcarbidkristallen ist die „Umgebung“ der Wachstumsgrenzfläche zwischen der axialen Mitte des Kristalls und dem Rand unterschiedlich, wodurch die Kristallspannung am Rand zunimmt und der Kristallrand aufgrund der induzierten Spannung leichter „umfassende Defekte“ aufweist.
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Wie wird reaktionsgesintertes Siliciumcarbid hergestellt?
von Admin am 23.07.2021
Reaktionssintern von Siliciumcarbid ist ein wichtiges Verfahren zur Herstellung von Hochleistungskeramik. Bei diesem Verfahren werden Kohlenstoff- und Siliciumquellen bei hohen Temperaturen wärmebehandelt, um eine Reaktion zu Siliciumcarbidkeramik auszulösen. 1. Rohstoffvorbereitung. Die Rohstoffe für das Reaktionssintern von Siliciumcarbid sind...
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Siliziumkarbid-Kristallboot, innovatives Material Siliziumkarbid sorgt für starke Leistung
von Admin am 23.07.2021
Die Siliziumkarbid-Kristallboot-Technologie ist eine innovative Methode, die die traditionelle Fertigungsweise revolutioniert hat. Sie ermöglicht die Verbindung von Siliziumkarbid mit anderen Materialien zu einer sehr dichten Struktur, wodurch die Effizienz des Fertigungsprozesses deutlich gesteigert und die … erheblich verbessert werden kann.
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Anwendung und Markt von Tantalcarbidbeschichtungen
von Admin am 23.07.18
Tantalcarbid zeichnet sich durch Härte, hohen Schmelzpunkt und gute Hochtemperatureigenschaften aus und wird hauptsächlich als Hartmetallzusatz verwendet. Die thermische Härte, die Temperaturwechselbeständigkeit und die Beständigkeit gegen thermische Oxidation von Hartmetall lassen sich durch die Vergrößerung der Korngröße von Tantalcarbid deutlich verbessern.
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Ausländische Kunden besuchen Produktionsstätten für Veterinärprodukte.
von Admin am 23.07.14

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