Den monokrystallinske 8 tommer siliciumwafer fra VET Energy er en brancheførende løsning til fremstilling af halvledere og elektroniske enheder. Med overlegen renhed og krystallinsk struktur er disse wafere ideelle til højtydende applikationer i både solcelle- og halvlederindustrien. VET Energy sikrer, at hver wafer bliver omhyggeligt behandlet for at opfylde de højeste standarder, hvilket giver fremragende ensartethed og glat overfladefinish, som er afgørende for avanceret elektronisk udstyrsproduktion.
Disse monokrystallinske 8 tommer siliciumwafers er kompatible med en række materialer, herunder Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, og er særligt velegnede til Epi Wafer-vækst. Deres overlegne varmeledningsevne og elektriske egenskaber gør dem til et pålideligt valg til højeffektiv fremstilling. Derudover er disse wafere designet til at arbejde problemfrit med materialer som Gallium Oxide Ga2O3 og AlN Wafer, der tilbyder en bred vifte af applikationer fra kraftelektronik til RF-enheder. Vaflerne passer også perfekt ind i kassettesystemer til højvolumen, automatiserede produktionsmiljøer.
VET Energy's produktlinje er ikke begrænset til siliciumwafers. Vi leverer også en bred vifte af halvledersubstratmaterialer, herunder SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc., samt nye wide bandgap halvledermaterialer såsom Gallium Oxide Ga2O3 og AlN Wafer. Disse produkter kan opfylde forskellige kunders applikationsbehov inden for kraftelektronik, radiofrekvens, sensorer og andre områder.
VET Energy giver kunderne skræddersyede waferløsninger. Vi kan tilpasse wafers med forskellig resistivitet, iltindhold, tykkelse osv. efter kundernes specifikke behov. Derudover yder vi også professionel teknisk support og eftersalgsservice for at hjælpe kunder med at løse forskellige problemer, der opstår under produktionsprocessen.
WAFERING SPECIFIKATIONER
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=semi-isolerende
Punkt | 8-tommer | 6-tommer | 4-tommer | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-absolut værdi | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Affasning |
OVERFLADE AFSLUTNING
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=semi-isolerende
Punkt | 8-tommer | 6-tommer | 4-tommer | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Overfladefinish | Dobbeltsidet optisk polsk, Si-Face CMP | ||||
Overfladeruhed | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Ingen tilladt (længde og bredde≥0,5 mm) | ||||
Indrykninger | Ingen tilladt | ||||
Ridser (Si-Face) | Antal.≤5, kumulativ | Antal.≤5, kumulativ | Antal.≤5, kumulativ | ||
Revner | Ingen tilladt | ||||
Kantudelukkelse | 3 mm |