Rivestimentu SiC / Substratu di Grafite Rivestitu / Vassottu per Semiconductor

Descrizione breve:

VET Energy SiC Coated Graphite Susceptor for Epitaxial Growth hè un pruduttu d'altu rendiment cuncepitu per furnisce un rendimentu consistente è affidabile per un periudu allargatu. Hè super bona resistenza à u calore è uniformità termale, alta purezza, resistenza à l'erosione, facendu a suluzione perfetta per l'applicazioni di trasfurmazioni di wafer.


Detail di u produttu

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Rivestimentu SiC / rivestitu di suscettore di Grafite per Semiconductor
 
USubstratu di grafite rivestitu di SiChè una suluzione altamente durable è efficiente pensata per risponde à e rigurose esigenze di l'industria di trasfurmazioni di semiconduttori. Dotatu di una strata di alta purezzarivestimentu di carburu di silicium (SiC)., Stu sustrato offre una stabilità termica eccezziunale, resistenza à l'ossidazione è una vita di serviziu prolongata, facendu ideale per l'applicazioni in i prucessi MOCVD, i trasportatori di wafer di grafite è altri ambienti à alta temperatura.

 Features: 
· Eccellente Resistenza à u Shock Thermal
· Eccellente resistenza fisica à u scossa
· Eccellente resistenza chimica
· Super High Purity
· Disponibilità in forma cumplessa
·Usable sottu à l'atmosfera ossidante

Applicazione:

3

Caratteristiche di u produttu è Vantaghji:

1. Superior Resistance Thermal:Cù una alta purezzaRivestimentu SiC, u sustrato resiste à temperature estreme, assicurendu un rendimentu consistente in ambienti esigenti cum'è l'epitassia è a fabricazione di semiconduttori.

2. Durabilità Enhanced:I cumpunenti di grafite rivestiti di SiC sò cuncepiti per resistere à a corrosione chimica è à l'ossidazione, aumentendu a vita di u sustrato cumparatu cù i sustrati di grafite standard.

3. Vitreous Coated Graphite:A struttura vitrea unica di uRivestimentu SiCfurnisce una durezza di a superficia eccellente, minimizendu l'usura durante u processu à alta temperatura.

4. High Purity SiC Coating:U nostru sustrato assicura una contaminazione minima in i prucessi di semiconduttori sensibili, offrendu affidabilità per l'industrii chì necessitanu una purezza di materiale rigorosa.

5. Wide Market Applicazioni:USusceptor di grafite rivestitu di SiCU mercatu cuntinueghja à cresce à u mumentu chì a dumanda di prudutti avanzati rivestiti di SiC in a fabricazione di semiconduttori aumenta, posizionando stu sustrato cum'è un attore chjave sia in u mercatu di trasportatori di wafer di grafite sia in u mercatu di vassoi di grafite rivestiti di carburu di siliciu.

Proprietà tipiche di u materiale di grafite di basa:

Densità apparente: 1,85 g/cm3
Resistività elettrica: 11 μΩm
Forza a flessione: 49 MPa (500 kgf/cm2)
Durezza Shore: 58
Ash: < 5 ppm
Conduttività termica: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

 

CVD SiC薄膜基本物理性能

Proprietà fisiche basiche di CVD SiCrivestimentu

性质 / Pruprietà

典型数值 / Valore tipicu

晶体结构 / Crystal Structure

FCC β phase 多晶,主要为(111)取向

密度 / Densità

3,21 g/cm³

硬度 / Durezza

2500 维氏硬度(500g di carica)

晶粒大小 / Grain Size

2 ~ 10 μm

纯度 / Purezza chimica

99,99995%

热容 / Capacità di calore

640 J·kg-1·K-1

升华温度 / Temperature di sublimazione

2700 ℃

抗弯强度 / Forza à a flessione

415 MPa RT à 4 punti

杨氏模量 / Young's Modulus

430 Gpa 4pt curva, 1300 ℃

导热系数 / Conduttività termica

300 W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Thermal Expansion (CTE)

4,5 × 10-6K-1

1

2

 

 

VET Energy hè u veru fabricatore di prudutti persunalizati di grafite è carburu di siliciu cù diversi rivestimenti cum'è rivestimentu SiC, rivestimentu TaC, rivestimentu di carbonu vetru, rivestimentu di carbone piroliticu, etc., pò furnisce diverse parti persunalizate per l'industria semiconductora è fotovoltaica.

A nostra squadra tecnica vene da i migliori istituzioni di ricerca naziunali, ponu furnisce più soluzioni di materiale prufessiunale per voi.

Sviluppemu continuamente prucessi avanzati per furnisce materiali più avanzati, è avemu travagliatu una tecnulugia patentata esclusiva, chì pò fà u ligame trà u revestimentu è u sustrato più strettu è menu propensu à u distaccu.

Un cordiale benvenutu per visità a nostra fabbrica, avemu più discussione!

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