Suscettore di canna rivestita di SiC

SiC Coated Barrel Susceptor Featured Image

Descrizione breve:

VET Energy SiC Coated Barrel Susceptor hè un pruduttu d'altu rendiment cuncepitu per furnisce un rendimentu consistente è affidabile per un periudu allargatu. Hè super bona resistenza à u calore è uniformità termale, alta purezza, resistenza à l'erosione, facendu a suluzione perfetta per l'applicazioni di trasfurmazioni di wafer.

Locu d'origine:Cina

Struttura cristallina:Fase FCCβ

Densità:3,21 g/cm;

Durezza:2500 Vickers;

Grandezza di granu:2 ~ 10μm;

Purezza chimica:99,99995%;

Capacità di calore:640J·kg-1·K-1;

Temperatura di sublimazione:2700 ℃;

Forza Flessurale:415 Mpa (RT 4-Point);

Modulu di Young:430 Gpa (curvatura 4pt, 1300 ℃);

Dilatazione termica (CTE) :4,5 10-6K-1;

Conduttività termica:300（W/MK）;

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Detail di u produttu

Tags di u produttu

Suscettore di canna is a chjavecumpunenti usatu in vari prucessi manifattura semiconductor.Utilizemu a nostra tecnulugia patentata per fàsusceptor di cannacunpurezza estremamente alta,benerivestimentuuniformitàè una vita di serviziu eccellente, cum'èalta resistenza chimica è proprietà di stabilità termica.

VET Energy hè luveru fabricatore di prudutti persunalizati di grafite è carburu di siliciu cù rivestimentu CVD,pò furniscevariipezzi persunalizati per l'industria semiconductora è fotovoltaica. Our squadra tecnicu vene da istituzioni di ricerca naziunali superiore, ponu furnisce più suluzioni materiali prufessiunaleper tè.

Sviluppemu continuamente prucessi avanzati per furnisce materiali più avanzati,èanu sviluppatu una tecnulugia patentata esclusiva, chì pò fà u ligame trà u revestimentu è u sustrato più strettu è menu propensu à u distaccu.

Fcaratteristiche di i nostri prudutti:

1. Resistenza à l'ossidazione alta temperatura finu à 1700℃.
2. Purità alta èuniformità termica
3. Eccellente resistenza à a corrosione: acidu, alkali, sali è reagenti organici.
4. Alta durezza, superficia compacta, particelle fini.
5. A vita di serviziu più longa è più durable

CVD SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche basiche di CVD SiCrivestimentu
性质 / Pruprietà	典型数值 / Valore tipicu
晶体结构 / Struttura di Cristalli	FCC phase β多晶，主要为（111）取向
密度 / Densità	3,21 g/cm³
硬度 / Durezza	2500 维氏硬度（500g di carica）
晶粒大小 / Grain Size	2 ~ 10 μm
纯度 / Purezza chimica	99,99995%
热容 / Capacità di calore	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Temperature di sublimazione	2700 ℃
抗弯强度 / Forza Flexural	415 MPa RT à 4 punti
杨氏模量 / Modulu di Ghjuventù	430 Gpa 4pt curva, 1300 ℃
导热系数 / ThermalConductivity	300 W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Dilatazione termica (CTE)	4,5 × 10^-6K^-1