Susceptor di grafite rivestitu di carburu di silicium per l'incisione à LED

Breve descrizzione:

U susceptor di carburu di siliciu per l'incisione LED (siC tray) hè un accessoriu speciale per l'incisione profonda di silicone (macchina d'incisione ICP). carrier wafer, canusciutu macari comu wafer carrier, silicium wafer carrier, canusciutu macari comu wafer di tasca. Ampiamente usatu in semiconductor CVD è sputtering vacuum.


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Susceptor rivestitu di carburu di silicium hèa chjavecumpunenti usatu in vari prucessi manifattura semiconductor.Utilizemu a nostra tecnulugia patentata per fà u susceptor ricopertu di carburu di siliciupurezza estremamente alta,benerivestimentuuniformitàè una vita di serviziu eccellente, cum'èalta resistenza chimica è proprietà di stabilità termica.

VET Energy hè luveru fabricatore di prudutti persunalizati di grafite è carburu di siliciu cù rivestimentu CVD,pò furniscevariipezzi persunalizati per l'industria semiconductora è fotovoltaica. Our squadra tecnicu vene da istituzioni di ricerca naziunali superiore, ponu furnisce più suluzioni materiali prufessiunaleper tè.

Sviluppemu continuamente prucessi avanzati per furnisce materiali più avanzati,èanu sviluppatu una tecnulugia patentata esclusiva, chì pò fà u ligame trà u revestimentu è u sustrato più strettu è menu propensu à u distaccu.

Fcaratteristiche di i nostri prudutti:

1. Resistenza à l'ossidazione alta temperatura finu à 1700.
2. Purità alta èuniformità termica
3. Eccellente resistenza à a corrosione: acidu, alkali, sali è reagenti organici.
4. Alta durezza, superficia compacta, particelle fini.
5. A vita di serviziu più longa è più durable

CVD SiC薄膜基本物理性能

Proprietà fisiche basiche di CVD SiCrivestimentu

性质 / Pruprietà

典型数值 / Valore tipicu

晶体结构 / Struttura di Cristalli

FCC phase β多晶,主要为(111)取向

密度 / Densità

3,21 g/cm³

硬度 / Durezza

2500 维氏硬度(500g di carica)

晶粒大小 / Grain Size

2 ~ 10 μm

纯度 / Purezza chimica

99,99995%

热容 / Capacità di calore

640 J·kg-1·K-1

升华温度 / Temperature di sublimazione

2700 ℃

抗弯强度 / Forza Flexural

415 MPa RT à 4 punti

杨氏模量 / Modulu di Ghjuventù

430 Gpa 4pt curva, 1300 ℃

导热系数 / ThermalConductivity

300 W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Dilatazione termica (CTE)

4,5 × 10-6K-1

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Un cordiale benvenutu per visità a nostra fabbrica, avemu più discussione!

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