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Chì sò l'ostaculi tecnichi à u carburu di siliciu?Ⅱ
I difficultà tecnichi in i wafers di carburu di siliciu d'alta qualità chì producenu in massa stabile cù un rendimentu stabile includenu: 1) Dapoi chì i cristalli anu bisognu di cultivà in un ambiente sigillatu à alta temperatura sopra à 2000 ° C, i requisiti di cuntrollu di temperatura sò estremamente altu; 2) Siccomu u carburu di siliciu hà più ...Leghjite più -
Chì sò e barriere tecniche per u carburu di siliciu?
A prima generazione di materiali semiconduttori hè rapprisintata da u siliciu tradiziunale (Si) è u germaniu (Ge), chì sò a basa per a fabricazione di circuiti integrati. Sò largamente usati in transistors è detectors di bassa tensione, bassa frequenza è bassa putenza. Più di 90% di i prudutti di semiconduttori ...Leghjite più -
Cumu hè fattu a micro polvere di SiC?
SiC unicu cristallu hè un materiale semiconductor cumpostu di Gruppu IV-IV cumpostu di dui elementi, Si è C, in un rapportu stechiometricu di 1: 1. A so durezza hè seconda solu à u diamante. U metudu di riduzzione di carbonu di l'ossidu di siliciu per preparà SiC hè principalmente basatu annantu à a seguente formula di reazione chimica ...Leghjite più -
Cumu i strati epitassiali aiutanu i dispositi semiconduttori?
L'origine di u nome epitaxial wafer Prima, vulemu popularizà un picculu cuncettu: a preparazione di wafer include dui ligami maiò: preparazione di sustrato è prucessu epitaxial. U sustrato hè un wafer fattu di materiale unicu cristallu semiconductor. U sustrato pò entra direttamente in a fabricazione di wafer...Leghjite più -
Introduzione à a tecnulugia di deposizione di film sottile (CVD) per a deposizione chimica di vapore
Chemical Vapor Deposition (CVD) hè una tecnulugia impurtante di depositu di film sottile, spessu usata per preparà diversi filmi funziunali è materiali di strati sottili, è hè largamente utilizatu in a fabricazione di semiconduttori è altri campi. 1. Principiu di travagliu di CVD In u prucessu di CVD, un precursore di gas (unu o mo ...Leghjite più -
U sicretu "oru neru" daretu à l'industria di i semiconduttori fotovoltaici: u desideriu è a dependenza di grafite isostaticu
U grafite isostaticu hè un materiale assai impurtante in i fotovoltaici è i semiconduttori. Cù l'aumentu rapidu di l'imprese di grafite isostaticu domesticu, u monopoliu di l'imprese straniere in Cina hè statu rottu. Cù ricerca è sviluppu indipindenti continui è innovazioni tecnologiche, u ...Leghjite più -
Svelendu e caratteristiche essenziali di i barche di grafite in a fabricazione di ceramica semiconductora
Barche di grafite, cunnisciute ancu com'è barche di grafite, ghjucanu un rolu cruciale in i prucessi intricati di a fabricazione di ceramica semiconductora. Queste navi specializate servenu cum'è trasportatori affidabili per i wafers di semiconductor durante i trattamenti à alta temperatura, assicurendu un prucessu precisu è cuntrullatu. Cù...Leghjite più -
A struttura interna di l'equipaggiu di tubu di furnace hè spiegata in detail
Comu mostra sopra, hè un tipicu A prima mità: Elementu di riscaldamentu (bobina di riscaldamentu) : situatu intornu à u tubu di u fornu, di solitu fattu di fili di resistenza, utilizatu per riscalda l'internu di u tubu di u fornu. Tubu di quartz: U core di un furnace d'ossidazione calda, fattu di quartz d'alta purezza chì pò resiste à altu ...Leghjite più -
Effetti di sustrato SiC è materiali epitassiali nantu à e caratteristiche di u dispositivu MOSFET
Difetti triangulari I difetti triangulari sò i difetti morfologichi più fatali in strati epitassiali SiC. Un gran numaru di rapporti di letteratura anu dimustratu chì a furmazione di difetti triangulari hè ligata à a forma di cristalli 3C. In ogni casu, per via di diversi meccanismi di crescita, a morfologia di assai tr...Leghjite più
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