Suscettore epitassiale di barile di grafite Epi

Suscettore epitassiale di barile di grafite Epi

Suscettore epitassiale di barile di grafite Epihè un dispositivu di supportu è riscaldamentu appositamente cuncepitu utilizatu per mantene è riscalda i sustrati di semiconduttori durante i prucessi di fabricazione cum'è i prucessi di Deposizione o Epitassi.

A so struttura include tipicamente cilindrica o ligeramente in forma di canna, a superficia presenta parechje sacchetti o piattaforme per mette e wafers, pò esse un disignu solidu o cavu, secondu u metudu di riscaldamentu.

E funzioni principali di u susceptor di canna epitassiale:

-Supportu di u substratu: mantene in modu sicuru parechji wafers di semiconductor;
-Fonte di calore: furnisce e alte temperature necessarie per a crescita per via di u riscaldamentu;
-Uniformità di a temperatura: assicura un riscaldamentu uniforme di i sustrati;
-Rotation: di solitu gira durante a crescita per migliurà a temperatura è l'uniformità di distribuzione di gas.

Principiu di funziunamentu di u susceptor di barile in grafite Epi:
- In u reattore epitaxial, u susceptor di canna hè riscaldatu à a temperatura necessaria (in genere 1000 ℃-1200 ℃ per l'epitassia di siliciu);
-U susceptor di canna gira per assicurà a distribuzione uniforme di a temperatura è u flussu di gas;
-I gasi di reazione si decomponenu à alte temperature, furmendu strati epitassiali nantu à a superficia di u sustrato.

Applicazioni:
- Adupratu principalmente per a crescita epitaxial di siliciu
-Applicabile ancu per epitassi di altri materiali semiconduttori cum'è GaAs, InP, etc.

VET Energy usa grafite d'alta purezza cù revestimentu CVD-SiC per rinfurzà a stabilità chimica:

I vantaghji di VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor:

-Stabilità à alta temperatura;
- Una bona uniformità termica;
-Puderà processà parechji sustrati simultaneamente, migliurà l'efficienza di a produzzione;
-Chimicamente inerte, mantenendu un ambiente di crescita di alta purezza.