VET Energy usa purezza ultra-altacarbure de silicium (SiC)formata da a deposizione chimica di vapore(CVD)cum'è u materiale fonte per u crescenteCristalli di SiCda u trasportu fisicu di vapore (PVT). In PVT, u materiale fonte hè caricatu in acrogioleè sublimatu nantu à un cristallu di sumente.
Una fonte d'alta purezza hè necessaria per fabricà alta qualitàCristalli di SiC.
VET Energy hè specializatu in furnisce SiC di grande particella per PVT perchè hà una densità più altu ch'è u materiale di particella chjuca furmatu da a combustione spontanea di gasi chì cuntenenu Si è C. A cuntrariu di a sinterizazione in fase solida o a reazione di Si è C, ùn hè micca bisognu di un furnace di sinterizazione dedicatu o un passu di sinterizazione di tempu in un furnace di crescita. Stu materiale di grande particella hà una rata di evaporazione guasi constante, chì migliurà l'uniformità run-to-run.
Introduzione:
1. Preparate surghjente di bloccu CVD-SiC: Prima, avete bisognu di preparà una fonte di bloccu CVD-SiC d'alta qualità, chì hè di solitu di alta purità è alta densità. Questu pò esse preparatu da u metudu di deposizione di vapore chimicu (CVD) in cundizioni di reazione adattate.
2. Preparazione di u sustratu: Selezziunate un sustrato adattatu cum'è u sustrato per a crescita di cristalli SiC. I materiali di sustrato cumunimenti utilizati include u carburu di siliciu, nitruru di siliciu, etc., chì anu un bonu partitu cù u cristallu SiC in crescita.
3. Riscaldamentu è sublimazione: Pone a fonte di bloccu CVD-SiC è u sustrato in un furnace d'alta temperatura è furnisce e cundizioni di sublimazione appropritate. A sublimazione significa chì à alta temperatura, a fonte di u bloccu cambia direttamente da u solidu à u statu di vapore, è poi si ricondensa nantu à a superficia di u sustrato per furmà un unicu cristallu.
4. Control di temperatura: durante u prucessu di sublimazione, u gradiente di a temperatura è a distribuzione di a temperatura deve esse precisamente cuntrullata per prumove a sublimazione di a fonte di bloccu è a crescita di cristalli unichi. Un cuntrollu di temperatura appropritatu pò ottene una qualità di cristalli ideali è u tassu di crescita.
5. Control di l'atmosfera: durante u prucessu di sublimazione, l'atmosfera di reazzione deve ancu esse cuntrullata. U gasu inerte d'alta purezza (cum'è l'argon) hè di solitu usatu cum'è gasu traspurtadore per mantene a pressione è a purità adatta è impedisce a contaminazione da impurità.
6. Crescita di cristalli unichi: A fonte di bloccu CVD-SiC sottumette una transizione di fase di vapore durante u prucessu di sublimazione è ricondensa nantu à a superficia di u sustrato per furmà una struttura di cristalli unica. A crescita rapida di i cristalli unichi di SiC pò esse ottenuta attraversu e cundizioni di sublimazione adattate è u cuntrollu di gradiente di temperatura.
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