Prezzu scontu GaN-Basedepitaxial nantu à Sic Substrates 4′′

Descrizione breve:

I trasportatori di wafer utilizati in u processu di crescita epitassiale duveranu suppurtà temperature elevate è una pulizia chimica dura. I suscettori CoorsTek Clear Carbon ™ sò progettati specificamente per queste esigenti applicazioni di l'equipaggiu di epitassi. A so custruzzione di grafite rivestita di carburu di siliciu (SiC) d'alta purezza furnisce una resistenza superiore à u calore, ancu uniformità termica per un spessore è una resistenza di strati epi coherenti, è una resistenza chimica durable. U revestimentu di cristallu SiC fine furnisce una superficia pulita è liscia, critica per a manipulazione postu chì i wafers pristine cuntattate u susceptor in parechji punti in tutta a so zona.


Detail di u produttu

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Avemu avà una forza di travagliu altamente efficiente per trattà e dumande da i cunsumatori. U nostru scopu hè "100% cumpiimentu di i cunsumatori da u nostru pruduttu o serviziu eccellente, prezzu di vendita è u nostru serviziu di l'equipaggiu" è uttene piacè da una grande popularità trà a clientela. Cù un saccu di fabbriche, pudemu offre una larga varietà di Prezzi scontati GaN-Basedepitaxial nantu à Sic Substrates 4′′, Accogliamu calorosamente i cumpagni di picculi imprese da tutti i modi di vita, spergu di stabilisce un affari amichevule è cooperativu per fà cuntattu cù voi è ghjunghje. un scopu win-win.
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SiC rivestimentu grafite MOCVD Wafer carriers

Tutti i nostri suscettori sò fatti di grafite isostaticu d'alta resistenza. Beneficiate di l'alta purezza di i nostri grafiti - sviluppati soprattuttu per prucessi sfida cum'è epitassi, crescita di cristalli, implantazione di ioni è incisione di plasma, è ancu per a produzzione di chip LED.

Descrizzione di u produttu
U revestimentu SiC di sustrato di Grafite per l'applicazioni Semiconductor produce una parte cun purezza superiore è resistenza à l'atmosfera ossidanti.
CVD SiC o CVI SiC hè appiicatu à Grafite di parti di design simplici o cumplessi. U rivestimentu pò esse applicatu in varii grossi è à parti assai grandi.

 

Cumpunimentu

SiC rivestimentu grafite MOCVD Wafer carriers

Vantaggi speciali di i nostri suscettori di grafite rivestiti di SiC includenu una purezza estremamente alta, un revestimentu omogeneu è una vita utile eccellente. Hanu ancu una alta resistenza chimica è proprietà di stabilità termale.

Mantenemu tolleranze assai strette quandu applicà u revestimentu SiC, usendu machining d'alta precisione per assicurà un prufilu susceptor uniforme. Producemu ancu materiali cù proprietà di resistenza elettrica ideali per l'usu in sistemi di riscaldamentu induttivu. Tutti i cumpunenti finiti venenu cù un certificatu di purezza è cumplimentu dimensionale.

Applicazione:

2

Features:
· Eccellente Resistenza à u Shock Thermal
· Eccellente resistenza fisica à u scossa
· Eccellente resistenza chimica
· Super High Purity
· Disponibilità in forma cumplessa
· Usable sottu à l'atmosfera ossidanteProprietà tipiche di u materiale di grafite di basa:

Densità apparente: 1,85 g/cm3
Resistività elettrica: 11 μΩm
Forza a flessione: 49 MPa (500 kgf/cm2)
Durezza Shore: 58
Ash: < 5 ppm
Conduttività termica: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Avemu avà una forza di travagliu altamente efficiente per trattà e dumande da i cunsumatori. U nostru scopu hè "100% cumpiimentu di i cunsumatori da u nostru pruduttu o serviziu eccellente, prezzu di vendita è u nostru serviziu di l'equipaggiu" è uttene piacè da una grande popularità trà a clientela. Cù un saccu di fabbriche, pudemu offre una larga varietà di Prezzi scontati GaN-Basedepitaxial nantu à Sic Substrates 4′′, Accogliamu calorosamente i cumpagni di picculi imprese da tutti i modi di vita, spergu di stabilisce un affari amichevule è cooperativu per fà cuntattu cù voi è ghjunghje. un scopu win-win.
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