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SiC rivestimentu grafite MOCVD Wafer carriers
Tutti i nostri suscettori sò fatti di grafite isostaticu d'alta resistenza. Beneficiate di l'alta purezza di i nostri grafiti - sviluppati soprattuttu per prucessi sfida cum'è epitassi, crescita di cristalli, implantazione di ioni è incisione di plasma, è ancu per a produzzione di chip LED.
Descrizzione di u produttu
U revestimentu SiC di sustrato di Grafite per l'applicazioni Semiconductor produce una parte cun purezza superiore è resistenza à l'atmosfera ossidanti.
CVD SiC o CVI SiC hè appiicatu à Grafite di parti di design simplici o cumplessi. U rivestimentu pò esse applicatu in varii grossi è à parti assai grandi.
Cumpunimentu
Vantaggi speciali di i nostri suscettori di grafite rivestiti di SiC includenu una purezza estremamente alta, un revestimentu omogeneu è una vita utile eccellente. Hanu ancu una alta resistenza chimica è proprietà di stabilità termale.
Mantenemu tolleranze assai strette quandu applicà u revestimentu SiC, usendu machining d'alta precisione per assicurà un prufilu susceptor uniforme. Producemu ancu materiali cù proprietà di resistenza elettrica ideali per l'usu in sistemi di riscaldamentu induttivu. Tutti i cumpunenti finiti venenu cù un certificatu di purezza è cumplimentu dimensionale.
Applicazione:
Features:
· Eccellente Resistenza à u Shock Thermal
· Eccellente resistenza fisica à u scossa
· Eccellente resistenza chimica
· Super High Purity
· Disponibilità in forma cumplessa
· Usable sottu à l'atmosfera ossidanteProprietà tipiche di u materiale di grafite di basa:
Densità apparente: | 1,85 g/cm3 |
Resistività elettrica: | 11 μΩm |
Forza a flessione: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
Durezza Shore: | 58 |
Ash: | < 5 ppm |
Conduttività termica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
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