Wafer di silicone di 8 pollici P Type

Breve descrizzione:

Introducendu u Wafer di Silicone di 8 Inch P Type di qualità premium, un segnu di eccellenza da VET Energy. Questa wafer eccezziunale, cù un prufilu di doping di tipu P, hè meticulosamente progettata per risponde à i più alti standard di qualità è prestazioni.


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U 8 Inch P Type Silicon Wafer da VET Energy hè un wafer di siliciu d'altu rendimentu cuncepitu per una larga gamma di applicazioni di semiconduttori, cumprese celle solari, dispositivi MEMS è circuiti integrati. Cunnisciuta per a so eccellente conduttività elettrica è u so rendimentu consistente, questa wafer hè a scelta preferita per i pruduttori chì cercanu di pruduce cumpunenti elettronichi affidabili è efficienti. VET Energy assicura livelli di doping precisi è una finitura di superficia di alta qualità per a fabricazione ottimali di u dispositivu.

Questi 8 Inch P Type Silicon Wafers sò cumpletamente cumpatibili cù diversi materiali cum'è SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, è sò adattati per a crescita Epi Wafer, assicurendu a versatilità per i prucessi avanzati di fabricazione di semiconduttori. I wafers ponu ancu esse aduprati in cunjunzione cù altri materiali d'alta tecnulugia cum'è Gallium Oxide Ga2O3 è AlN Wafer, facenu ideali per l'applicazioni elettroniche di a prossima generazione. U so design robustu si adatta ancu perfettamente à i sistemi basati in Cassette, assicurendu una gestione di produzzione efficiente è di grande volume.

VET Energy offre à i clienti soluzioni di wafer persunalizati. Pudemu persunalizà wafers cù diverse resistività, cuntenutu di ossigenu, spessore, etc., secondu i bisogni specifichi di i clienti. Inoltre, furnimu ancu un supportu tecnicu prufessiunale è un serviziu post-vendita per aiutà i clienti à risolve diversi prublemi incontrati durante u prucessu di produzzione.

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SPECIFICAZIONI WAFERING

*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante

Articulu

8-inch

6-inch

4-inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤ 6um

≤ 6um

Arcu (GF3YFCD) - Valore assolutu

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm

<2μm

Wafer Edge

Bisellu

FINITURA DI SUPERFICIE

*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante

Articulu

8-inch

6-inch

4-inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Finitura di a superficia

Lucido ottico doppia faccia, Si-Face CMP

Rugosità di a superficia

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Chips Edge

Nisunu permessu (lunghezza è larghezza ≥ 0,5 mm)

Indentati

Nisunu permessu

Scratchs (Si-Face)

Qty.≤5, Cumulative
Length≤0.5 × diametru di wafer

Qty.≤5, Cumulative
Length≤0.5 × diametru di wafer

Qty.≤5, Cumulative
Length≤0.5 × diametru di wafer

Cracks

Nisunu permessu

Exclusion di Edge

3 mm

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