VET Energy 12-inch SOI wafer hè un materiale di sustrato semiconductor d'altu rendiment, chì hè assai favuritu per e so eccellenti proprietà elettriche è a struttura unica. VET Energy usa prucessi avanzati di fabricazione di wafer SOI per assicurà chì a wafer hà una corrente di fuga estremamente bassa, alta velocità è resistenza à a radiazione, chì furnisce una basa solida per i vostri circuiti integrati d'altu rendiment.
A linea di prudutti di VET Energy ùn hè micca limitata à i wafers SOI. Avemu ancu furnisce una larga gamma di materiali di sustrato semiconductor, cumpresu Si Wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer, etc., è ancu novi materiali semiconduttori largu bandgap cum'è Gallium Oxide Ga2O3 è AlN Wafer. Questi prudutti ponu risponde à i bisogni di l'applicazione di diversi clienti in l'elettronica di putere, RF, sensori è altri campi.
Fighjendu l'eccellenza, i nostri wafer SOI utilizanu ancu materiali avanzati cum'è l'ossidu di gallu Ga2O3, cassette è wafers AlN per assicurà affidabilità è efficienza à ogni livellu operativu. Trust VET Energy per furnisce soluzioni di punta chì aprenu a strada per l'avanzamentu tecnologicu.
Libera u putenziale di u vostru prughjettu cù u rendiment superiore di i wafer SOI di VET Energy 12-inch. Impulsate e vostre capacità d'innuvazione cù wafers chì incarnanu qualità, precisione è innuvazione, ponendu e basi per u successu in u campu dinamicu di a tecnulugia di i semiconduttori. Scegli VET Energy per soluzioni premium di wafer SOI chì superanu e aspettative.
SPECIFICAZIONI WAFERING
*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante
Articulu | 8-inch | 6-inch | 4-inch | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤ 6um | ≤ 6um | |||
Arcu (GF3YFCD) - Valore assolutu | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Bisellu |
FINITURA DI SUPERFICIE
*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante
Articulu | 8-inch | 6-inch | 4-inch | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Finitura di a superficia | Lucido ottico doppia faccia, Si-Face CMP | ||||
Rugosità di a superficia | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Chips Edge | Nisunu permessu (lunghezza è larghezza ≥ 0,5 mm) | ||||
Indentati | Nisunu permessu | ||||
Scratchs (Si-Face) | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | ||
Cracks | Nisunu permessu | ||||
Exclusion di Edge | 3 mm |