Wafer di silicone monocristallino da 8 pollici

Breve descrizzione:

U wafer di siliciu di 8-inch di cristallu unicu VET Energy hè un materiale di basa di semiconductor d'alta purezza è di alta qualità. VET Energy usa un prucessu di crescita CZ avanzatu per assicurà chì a wafer hà una qualità di cristalli eccellente, una densità di difetti bassa è una uniformità elevata, chì furnisce un sustrato solidu è affidabile per i vostri dispositi semiconduttori.


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U Wafer di Silicone Monocristallino da 8 Inch da VET Energy hè una soluzione di punta in l'industria per a fabricazione di semiconduttori è dispositivi elettronici. Offrendu una purezza superiore è una struttura cristallina, queste wafers sò ideali per l'applicazioni d'altu rendimentu in l'industria fotovoltaica è semiconductora. VET Energy assicura chì ogni wafer hè meticulosamente processatu per risponde à i più alti standard, chì furnisce una uniformità eccellente è una superficia liscia, chì sò essenziali per a produzzione avanzata di dispositivi elettronici.

Questi Wafers di Silicone Monocristallini 8 Inch sò cumpatibili cù una varietà di materiali, cumprese Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, è sò particularmente adattati per a crescita Epi Wafer. A so conduttività termale superiore è e proprietà elettriche facenu una scelta affidabile per a fabricazione d'alta efficienza. Inoltre, sti wafers sò pensati per travaglià perfettamente cù materiali cum'è Gallium Oxide Ga2O3 è AlN Wafer, chì offre una larga gamma di applicazioni da l'elettronica di putenza à i dispositi RF. I wafers si adattanu ancu perfettamente à i sistemi di Cassette per ambienti di produzzione automatizati di grande volume.

A linea di prudutti di VET Energy ùn hè micca limitata à i wafers di siliciu. Furnemu ancu una larga gamma di materiali di sustrato semiconductor, cumpresu SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc., è ancu novi materiali semiconduttori di banda larga cum'è Gallium Oxide Ga2O3 è AlN Wafer. Questi prudutti ponu risponde à i bisogni di l'applicazioni di diversi clienti in l'elettronica di putenza, a radiofrequenza, i sensori è altri campi.

VET Energy offre à i clienti soluzioni di wafer persunalizati. Pudemu persunalizà wafers cù diverse resistività, cuntenutu di ossigenu, spessore, etc., secondu i bisogni specifichi di i clienti. Inoltre, furnimu ancu un supportu tecnicu prufessiunale è un serviziu post-vendita per aiutà i clienti à risolve diversi prublemi incontrati durante u prucessu di produzzione.

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SPECIFICAZIONI WAFERING

*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante

Articulu

8-inch

6-inch

4-inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤ 6um

≤ 6um

Arcu (GF3YFCD) - Valore assolutu

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm

<2μm

Wafer Edge

Bisellu

FINITURA DI SUPERFICIE

*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante

Articulu

8-inch

6-inch

4-inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Finitura di a superficia

Lucido ottico doppia faccia, Si-Face CMP

Rugosità di a superficia

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Chips Edge

Nisunu permessu (lunghezza è larghezza ≥ 0,5 mm)

Indentati

Nisunu permessu

Scratchs (Si-Face)

Qty.≤5, Cumulative
Length≤0.5 × diametru di wafer

Qty.≤5, Cumulative
Length≤0.5 × diametru di wafer

Qty.≤5, Cumulative
Length≤0.5 × diametru di wafer

Cracks

Nisunu permessu

Exclusion di Edge

3 mm

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