U Wafer di Silicone Monocristallino da 8 Inch da VET Energy hè una soluzione di punta in l'industria per a fabricazione di semiconduttori è dispositivi elettronici. Offrendu una purezza superiore è una struttura cristallina, queste wafers sò ideali per l'applicazioni d'altu rendimentu in l'industria fotovoltaica è semiconductora. VET Energy assicura chì ogni wafer hè meticulosamente processatu per risponde à i più alti standard, chì furnisce una uniformità eccellente è una superficia liscia, chì sò essenziali per a produzzione avanzata di dispositivi elettronici.
Questi Wafers di Silicone Monocristallini 8 Inch sò cumpatibili cù una varietà di materiali, cumprese Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, è sò particularmente adattati per a crescita Epi Wafer. A so conduttività termale superiore è e proprietà elettriche facenu una scelta affidabile per a fabricazione d'alta efficienza. Inoltre, sti wafers sò pensati per travaglià perfettamente cù materiali cum'è Gallium Oxide Ga2O3 è AlN Wafer, chì offre una larga gamma di applicazioni da l'elettronica di putenza à i dispositi RF. I wafers si adattanu ancu perfettamente à i sistemi di Cassette per ambienti di produzzione automatizati di grande volume.
A linea di prudutti di VET Energy ùn hè micca limitata à i wafers di siliciu. Furnemu ancu una larga gamma di materiali di sustrato semiconductor, cumpresu SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc., è ancu novi materiali semiconduttori di banda larga cum'è Gallium Oxide Ga2O3 è AlN Wafer. Questi prudutti ponu risponde à i bisogni di l'applicazioni di diversi clienti in l'elettronica di putenza, a radiofrequenza, i sensori è altri campi.
VET Energy offre à i clienti soluzioni di wafer persunalizati. Pudemu persunalizà wafers cù diverse resistività, cuntenutu di ossigenu, spessore, etc., secondu i bisogni specifichi di i clienti. Inoltre, furnimu ancu un supportu tecnicu prufessiunale è un serviziu post-vendita per aiutà i clienti à risolve diversi prublemi incontrati durante u prucessu di produzzione.
SPECIFICAZIONI WAFERING
*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante
Articulu | 8-inch | 6-inch | 4-inch | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤ 6um | ≤ 6um | |||
Arcu (GF3YFCD) - Valore assolutu | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Bisellu |
FINITURA DI SUPERFICIE
*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante
Articulu | 8-inch | 6-inch | 4-inch | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Finitura di a superficia | Lucido ottico doppia faccia, Si-Face CMP | ||||
Rugosità di a superficia | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Chips Edge | Nisunu permessu (lunghezza è larghezza ≥ 0,5 mm) | ||||
Indentati | Nisunu permessu | ||||
Scratchs (Si-Face) | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | ||
Cracks | Nisunu permessu | ||||
Exclusion di Edge | 3 mm |