Эпітаксія GaN на аснове крэмнія

Кароткае апісанне:


  • Месца паходжання:Кітай
  • Крышталічная структура:FCCβ-фаза
  • Шчыльнасць:3,21 г/см
  • Цвёрдасць:2500 Вікерс
  • Памер збожжа:2~10 мкм
  • Хімічная чысціня:99,99995%
  • Цеплаёмістасць:640 Дж · кг-1 · К-1
  • Тэмпература сублімацыі:2700 ℃
  • Трываласць сцягна:415 Мпа (RT 4-кропкавы)
  • Модуль Юнга:430 Гпа (выгіб 4 пункты, 1300 ℃)
  • Цеплавое пашырэнне (CTE):4.5 10-6К-1
  • Цеплаправоднасць:300 (Вт/мК)
  • Дэталь прадукту

    Тэгі прадукту

    Апісанне прадукту

    Наша кампанія прадастаўляе паслугі па нанясенні пакрыцця SiC метадам CVD на паверхні графіту, керамікі і іншых матэрыялаў, так што спецыяльныя газы, якія змяшчаюць вуглярод і крэмній, рэагуюць пры высокай тэмпературы з атрыманнем малекул SiC высокай чысціні, малекул, асаджаных на паверхні матэрыялаў з пакрыццём, фарміраванне SIC ахоўнага пласта.

    Асноўныя характарыстыкі:

    1. Устойлівасць да акіслення пры высокіх тэмпературах:

    устойлівасць да акіслення па-ранейшаму вельмі добрая, калі тэмпература дасягае 1600 C.

    2. Высокая чысціня: вырабляецца шляхам хімічнага асаджэння з паравай фазы ва ўмовах высокатэмпературнага хларавання.

    3. Устойлівасць да эрозіі: высокая цвёрдасць, кампактная паверхня, дробныя часціцы.

    4. Устойлівасць да карозіі: кіслоты, шчолачы, солі і арганічныя рэагенты.

    Асноўныя характарыстыкі пакрыцця CVD-SIC

    Уласцівасці SiC-CVD

    Крышталічная структура FCC β фаза
    Шчыльнасць г/см³ 3.21
    Цвёрдасць Цвёрдасць па Віккерсу 2500
    Памер збожжа мкм 2~10
    Хімічная чысціня % 99,99995
    Цеплаёмістасць Дж·кг-1 ·К-1 640
    Тэмпература сублімацыі 2700
    Felexural Сіла МПа (RT 4-кропка) 415
    Модуль Юнга Gpa (выгіб 4 пункты, 1300 ℃) 430
    Цеплавое пашырэнне (CTE) 10-6К-1 4.5
    Цеплаправоднасць (Вт/мК) 300

     

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Папярэдняя:
  • далей:

  • Інтэрнэт-чат WhatsApp!