Графітавая частка паўмесяца з пакрыццём SiCis a ключкампанент, які выкарыстоўваецца ў працэсах вытворчасці паўправаднікоў, асабліва для эпітаксіяльнага абсталявання SiC.Мы выкарыстоўваем нашу запатэнтаваную тэхналогію, каб зрабіць частку паўмесяцанадзвычай высокая чысціня,добрыпакрыццёаднастайнасцьі выдатны тэрмін службы, а таксамавысокая хімічная ўстойлівасць і тэрмаўстойлівасць.
ПТВ Энергія ёсць усапраўдны вытворца індывідуальных вырабаў з графіту і карбіду крэмнію з пакрыццём CVD,можа паставіцьрозныяіндывідуальныя дэталі для паўправадніковай і фотаэлектрычнай прамысловасці. OНаша тэхнічная каманда паходзіць з вядучых айчынных навукова-даследчых устаноў, можа даць больш прафесійныя матэрыяльныя рашэннідля вас.
Мы пастаянна распрацоўваем перадавыя працэсы, каб забяспечыць больш дасканалыя матэрыялы,іраспрацавалі эксклюзіўную запатэнтаваную тэхналогію, якая можа зрабіць сувязь паміж пакрыццём і падкладкай больш шчыльнай і менш схільнай да адслаення.
FХарчаванне нашай прадукцыі:
1. Устойлівасць да акіслення пры высокай тэмпературы да 1700℃.
2. Высокая чысціня іцеплавая аднастайнасць
3. Выдатная ўстойлівасць да карозіі: кіслоты, шчолачы, солі і арганічныя рэагенты.
4. Высокая цвёрдасць, кампактная паверхня, дробныя часціцы.
5. Больш працяглы тэрмін службы і больш трывалы
ССЗ SiC薄膜基本物理性能 Асноўныя фізічныя ўласцівасці CVD SiCпакрыццё | |
性质 / Уласцівасць | 典型数值 / Тыповае значэнне |
晶体结构 / Крышталічная структура | FCC β фаза多晶,主要为(111) 取向 |
密度 / Шчыльнасць | 3,21 г/см³ |
硬度 / Цвёрдасць | 2500 维氏硬度(загрузка 500 г) |
晶粒大小 / Памер збожжа | 2~10 мкм |
纯度 / Хімічная чысціня | 99,99995% |
热容 / Цеплаёмістасць | 640 Дж·кг-1·К-1 |
升华温度 / Тэмпература сублімацыі | 2700 ℃ |
抗弯强度 / Трываласць на выгіб | 415 Мпа RT 4-кропкавы |
杨氏模量 / Модуль Юнга | 430 Гпа, выгіб 4 кропкі, 1300 ℃ |
导热系数 / ТэрмалПраводнасць | 300 Вт·м-1·К-1 |
热膨胀系数 / Цеплавое пашырэнне (КТР) | 4,5×10-6K-1 |
Шчыра вітаем вас наведаць наш завод, давайце далей абмяркуем!