خبریں

تیسری نسل کے سیمی کنڈکٹر GaN اور متعلقہ ایپیٹیکسیل ٹیکنالوجی کا تعارف
بذریعہ منتظم 24-06-25 کو
1. تیسری نسل کے سیمی کنڈکٹر پہلی نسل کی سیمی کنڈکٹر ٹیکنالوجی کو سیمی کنڈکٹر مواد جیسے Si اور Ge کی بنیاد پر تیار کیا گیا تھا۔ یہ ٹرانجسٹرز اور انٹیگریٹڈ سرکٹ ٹیکنالوجی کی ترقی کے لیے مادی بنیاد ہے۔ پہلی نسل کے سیمی کنڈکٹر مواد نے ایف...
مزید پڑھیں
سلکان کاربائڈ کرسٹل کی ترقی پر غیر محفوظ گریفائٹ کے اثر پر عددی نقلی مطالعہ
بذریعہ منتظم 24-06-18 کو
SiC کرسٹل کی ترقی کے بنیادی عمل کو اعلی درجہ حرارت پر خام مال کی سربلندی اور گلنے، درجہ حرارت کے میلان کے عمل کے تحت گیس فیز مادوں کی نقل و حمل، اور بیج کرسٹل میں گیس فیز مادوں کی دوبارہ تشکیل نو میں تقسیم کیا گیا ہے۔ اس کی بنیاد پر...
مزید پڑھیں
خصوصی گریفائٹ کی اقسام
بذریعہ منتظم 24-06-17
خصوصی گریفائٹ ایک اعلی پاکیزگی، اعلی کثافت اور اعلی طاقت والا گریفائٹ مواد ہے اور اس میں بہترین سنکنرن مزاحمت، اعلی درجہ حرارت کا استحکام اور زبردست برقی چالکتا ہے۔ یہ اعلی درجہ حرارت کی گرمی کے علاج اور ہائی پریشر پروسیسنگ کے بعد قدرتی یا مصنوعی گریفائٹ سے بنا ہے ...
مزید پڑھیں
پتلی فلم جمع کرنے کے آلات کا تجزیہ - PECVD/LPCVD/ALD آلات کے اصول اور اطلاقات
بذریعہ منتظم 24-06-12 کو
پتلی فلم کا ذخیرہ سیمی کنڈکٹر کے مرکزی سبسٹریٹ مواد پر فلم کی ایک تہہ کوٹ کرنا ہے۔ یہ فلم مختلف مواد سے بنائی جا سکتی ہے، جیسے انسولیٹنگ کمپاؤنڈ سلکان ڈائی آکسائیڈ، سیمی کنڈکٹر پولی سیلیکون، میٹل کاپر وغیرہ۔ کوٹنگ کے لیے استعمال ہونے والے آلات کو پتلی فلم جمع کہا جاتا ہے...
مزید پڑھیں
اہم مواد جو monocrystalline سلکان کی ترقی کے معیار کا تعین کرتا ہے - تھرمل فیلڈ
بذریعہ منتظم 24-06-12 کو
مونو کرسٹل لائن سلکان کی نشوونما کا عمل مکمل طور پر تھرمل فیلڈ میں ہوتا ہے۔ ایک اچھا تھرمل فیلڈ کرسٹل کے معیار کو بہتر بنانے کے لیے سازگار ہے اور اس میں کرسٹلائزیشن کی کارکردگی زیادہ ہے۔ تھرمل فیلڈ کا ڈیزائن زیادہ تر درجہ حرارت کے میلان میں ہونے والی تبدیلیوں کا تعین کرتا ہے...
مزید پڑھیں
سلکان کاربائیڈ کرسٹل گروتھ فرنس کی تکنیکی مشکلات کیا ہیں؟
بذریعہ منتظم 24-06-07
کرسٹل گروتھ فرنس سلکان کاربائیڈ کرسٹل کی نشوونما کا بنیادی سامان ہے۔ یہ روایتی کرسٹل لائن سلکان گریڈ کرسٹل گروتھ فرنس کی طرح ہے۔ بھٹی کا ڈھانچہ بہت پیچیدہ نہیں ہے۔ یہ بنیادی طور پر فرنس باڈی، ہیٹنگ سسٹم، کوائل ٹرانسمیشن میکانزم پر مشتمل ہے...
مزید پڑھیں
سلکان کاربائیڈ ایپیٹیکسیل پرت کے نقائص کیا ہیں؟
بذریعہ منتظم 24-06-05 کو
ایس آئی سی ایپیٹیکسیل مواد کی نشوونما کے لیے بنیادی ٹیکنالوجی سب سے پہلے ڈیفیکٹ کنٹرول ٹیکنالوجی ہے، خاص طور پر ڈیفیکٹ کنٹرول ٹیکنالوجی کے لیے جو ڈیوائس کی ناکامی یا قابل اعتماد انحطاط کا شکار ہے۔ سبسٹریٹ کے نقائص کے طریقہ کار کا مطالعہ ایپی میں پھیلا ہوا ہے...
مزید پڑھیں
آکسائڈائزڈ کھڑے اناج اور اپیٹیکسیل گروتھ ٹیکنالوجی-Ⅱ
بذریعہ منتظم 24-05-30 کو
3. Epitaxial پتلی فلم کی نمو یہ سبسٹریٹ Ga2O3 پاور ڈیوائسز کے لیے فزیکل سپورٹ لیئر یا کنڈکٹیو پرت فراہم کرتا ہے۔ اگلی اہم پرت چینل پرت یا ایپیٹیکسیل پرت ہے جو وولٹیج مزاحمت اور کیریئر ٹرانسپورٹ کے لیے استعمال ہوتی ہے۔ بریک ڈاؤن وولٹیج کو بڑھانے اور کنڈک کو کم سے کم کرنے کے لیے...
مزید پڑھیں
گیلیم آکسائیڈ سنگل کرسٹل اور ایپیٹیکسیل گروتھ ٹیکنالوجی
بذریعہ منتظم 24-05-30 کو
وائڈ بینڈ گیپ (WBG) سیمی کنڈکٹرز جن کی نمائندگی سلکان کاربائیڈ (SiC) اور گیلیم نائٹرائڈ (GaN) نے کی ہے، نے بڑے پیمانے پر توجہ حاصل کی ہے۔ لوگ الیکٹرک گاڑیوں اور پاور گرڈز میں سلکان کاربائیڈ کے اطلاق کے امکانات کے ساتھ ساتھ گیلیم کے استعمال کے امکانات کے بارے میں بہت زیادہ توقعات رکھتے ہیں۔
مزید پڑھیں