Монокристалічна 8-дюймова кремнієва пластина від VET Energy є провідним у галузі рішенням для виробництва напівпровідників та електронних пристроїв. Завдяки винятковій чистоті та кристалічній структурі ці пластини ідеально підходять для високопродуктивних застосувань як у фотоелектричній, так і в напівпровідниковій промисловості. VET Energy гарантує, що кожна пластина ретельно обробляється відповідно до найвищих стандартів, забезпечуючи відмінну однорідність і гладку поверхню, що є важливими для виробництва сучасних електронних пристроїв.
Ці монокристалічні 8-дюймові кремнієві пластини сумісні з низкою матеріалів, включаючи кремнієві пластини, SiC-підкладки, SOI-пластини, SiN-підкладки, і особливо підходять для вирощування пластин Epi. Їх чудова теплопровідність і електричні властивості роблять їх надійним вибором для високоефективного виробництва. Крім того, ці пластини розроблені для бездоганної роботи з такими матеріалами, як оксид галію Ga2O3 і пластина AlN, пропонуючи широкий спектр застосувань від силової електроніки до радіочастотних пристроїв. Пластини також ідеально підходять до касетних систем для автоматизованих виробничих середовищ великого обсягу.
Продуктова лінійка VET Energy не обмежується кремнієвими пластинами. Ми також пропонуємо широкий спектр матеріалів для напівпровідникових підкладок, включаючи підкладку SiC, пластину SOI, підкладку SiN, пластину Epi тощо, а також нові широкозонні напівпровідникові матеріали, такі як оксид галію Ga2O3 і пластина AlN. Ці продукти можуть задовольнити потреби різних клієнтів у силовій електроніці, радіочастотах, датчиках та інших галузях.
VET Energy надає клієнтам індивідуальні рішення для пластин. Ми можемо налаштувати пластини з різним питомим опором, вмістом кисню, товщиною тощо відповідно до конкретних потреб клієнтів. Крім того, ми також надаємо професійну технічну підтримку та післяпродажне обслуговування, щоб допомогти клієнтам вирішити різні проблеми, що виникають під час виробничого процесу.
ТЕХНІЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВАФЕЛЬ
*n-Pm=Pm-клас n-типу, n-Ps=Ps-клас n-типу, Sl=напівізоляційний
Пункт | 8-дюймовий | 6-дюймовий | 4-дюймовий | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 мкм | ≤6 мкм | |||
Лук (GF3YFCD) - абсолютне значення | ≤15 мкм | ≤15 мкм | ≤25 мкм | ≤15 мкм | |
Деформація (GF3YFER) | ≤25 мкм | ≤25 мкм | ≤40 мкм | ≤25 мкм | |
LTV(SBIR)-10ммх10мм | <2 мкм | ||||
Вафельний край | Скошування |
ОБРОБКА ПОВЕРХНІ
*n-Pm=Pm-клас n-типу, n-Ps=Ps-клас n-типу, Sl=напівізоляційний
Пункт | 8-дюймовий | 6-дюймовий | 4-дюймовий | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Оздоблення поверхні | Двосторонній оптичний полір, Si-Face CMP | ||||
Шорсткість поверхні | (10 мкм x 10 мкм) Si-FaceRa≤0,2 нм | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Крайові чіпи | Не допускається (довжина та ширина≥0,5 мм) | ||||
Відступи | Не дозволено | ||||
Подряпини (Si-Face) | К-сть ≤5, Сукупний | К-сть ≤5, Сукупний | К-сть ≤5, Сукупний | ||
Тріщини | Не дозволено | ||||
Виключення краю | 3 мм |