8-дюймова кремнієва пластина високої чистоти

Короткий опис:

8-дюймові кремнієві пластини високої чистоти від VET Energy є ідеальним вибором для виробництва напівпровідників. Виготовлені за передовою технологією, ці пластини мають чудову кристалічну якість і рівність поверхні, що робить їх придатними для виготовлення різноманітних мікроелектронних пристроїв.


Деталі продукту

Теги товарів

8-дюймові кремнієві пластини VET Energy широко використовуються в силовій електроніці, датчиках, інтегральних схемах та інших галузях. Як лідер у галузі напівпровідників, ми прагнемо надавати високоякісні продукти Si Wafer для задоволення зростаючих потреб наших клієнтів.

На додаток до Si Wafer, VET Energy також пропонує широкий спектр напівпровідникових матеріалів для підкладки, включаючи SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer тощо. Наша лінійка продуктів також охоплює нові широкозонні напівпровідникові матеріали, такі як оксид галію Ga2O3 та AlN Wafer, що забезпечує потужну підтримку для розробки силових електронних пристроїв нового покоління.

VET Energy має сучасне виробниче обладнання та повну систему управління якістю, щоб кожна пластина відповідала суворим галузевим стандартам. Наша продукція має не тільки відмінні електричні властивості, але й хорошу механічну міцність і термічну стабільність.

VET Energy надає клієнтам індивідуальні рішення для пластин, включаючи пластини різних розмірів, типів і концентрацій легуючих речовин. Крім того, ми також надаємо професійну технічну підтримку та післяпродажне обслуговування, щоб допомогти клієнтам вирішити різні проблеми, що виникають під час виробничого процесу.

第6页-36
第6页-35

ТЕХНІЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВАФЕЛЬ

*n-Pm=Pm-клас n-типу, n-Ps=Ps-клас n-типу, Sl=напівізоляційний

Пункт

8-дюймовий

6-дюймовий

4-дюймовий

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6 мкм

≤6 мкм

Лук (GF3YFCD) - абсолютне значення

≤15 мкм

≤15 мкм

≤25 мкм

≤15 мкм

Деформація (GF3YFER)

≤25 мкм

≤25 мкм

≤40 мкм

≤25 мкм

LTV(SBIR)-10ммх10мм

<2 мкм

Вафельний край

Скошування

ОБРОБКА ПОВЕРХНІ

*n-Pm=Pm-клас n-типу, n-Ps=Ps-клас n-типу, Sl=напівізоляційний

Пункт

8-дюймовий

6-дюймовий

4-дюймовий

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Оздоблення поверхні

Двосторонній оптичний полір, Si-Face CMP

Шорсткість поверхні

(10 мкм x 10 мкм) Si-FaceRa≤0,2 нм
C-грань Ra≤ 0,5 нм

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
С-грань Ra≤0,5 нм

Крайові чіпи

Не допускається (довжина та ширина≥0,5 мм)

Відступи

Не дозволено

Подряпини (Si-Face)

К-сть ≤5, Сукупний
Довжина≤0,5 × діаметр пластини

К-сть ≤5, Сукупний
Довжина≤0,5 × діаметр пластини

К-сть ≤5, Сукупний
Довжина≤0,5 × діаметр пластини

Тріщини

Не дозволено

Виключення краю

3 мм

тех_1_2_розм
下载 (2)

  • Попередній:
  • далі:

  • Онлайн-чат WhatsApp!