Продуктова лінійка VET Energy не обмежується кремнієвими пластинами. Ми також пропонуємо широкий спектр матеріалів для напівпровідникових підкладок, включаючи підкладку SiC, пластину SOI, підкладку SiN, пластину Epi тощо, а також нові широкозонні напівпровідникові матеріали, такі як оксид галію Ga2O3 і пластина AlN. Ці продукти можуть задовольнити потреби різних клієнтів у силовій електроніці, радіочастотах, датчиках та інших сферах.
Сфери застосування:
•Інтегральні схеми:Як основний матеріал для виготовлення інтегральних схем кремнієві пластини P-типу широко використовуються в різних логічних схемах, пам’яті тощо.
•Силові пристрої:Кремнієві пластини P-типу можна використовувати для виготовлення силових пристроїв, таких як силові транзистори та діоди.
•Датчики:Кремнієві пластини P-типу можна використовувати для виготовлення різних типів датчиків, таких як датчики тиску, датчики температури тощо.
•Сонячні елементи:Кремнієві пластини P-типу є важливим компонентом сонячних елементів.
VET Energy надає клієнтам індивідуальні рішення для пластин і може налаштувати пластини з різним питомим опором, різним вмістом кисню, різною товщиною та іншими характеристиками відповідно до конкретних потреб клієнтів. Крім того, ми також надаємо професійну технічну підтримку та післяпродажне обслуговування, щоб допомогти клієнтам вирішити різні проблеми, що виникають у процесі виробництва.
ТЕХНІЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВАФЕЛЬ
*n-Pm=n-тип Pm-клас, n-Ps=n-тип Ps-клас, Sl=напівізоляційний
Пункт | 8-дюймовий | 6-дюймовий | 4-дюймовий | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 мкм | ≤6 мкм | |||
Лук (GF3YFCD) - абсолютне значення | ≤15 мкм | ≤15 мкм | ≤25 мкм | ≤15 мкм | |
Деформація (GF3YFER) | ≤25 мкм | ≤25 мкм | ≤40 мкм | ≤25 мкм | |
LTV(SBIR)-10ммх10мм | <2 мкм | ||||
Вафельний край | Скошування |
ОБРОБКА ПОВЕРХНІ
*n-Pm=n-тип Pm-клас, n-Ps=n-тип Ps-клас, Sl=напівізоляційний
Пункт | 8-дюймовий | 6-дюймовий | 4-дюймовий | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Оздоблення поверхні | Двостороння оптична полірування, Si-Face CMP | ||||
Шорсткість поверхні | (10 мкм x 10 мкм) Si-FaceRa≤0,2 нм | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Крайові чіпи | Не допускається (довжина та ширина≥0,5 мм) | ||||
Відступи | Не дозволено | ||||
Подряпини (Si-Face) | К-сть ≤5, Сукупний | К-сть ≤5, Сукупний | К-сть ≤5, Сукупний | ||
Тріщини | Не дозволено | ||||
Виключення краю | 3 мм |