Бу 6 Inch N Type SiC Wafer экстремаль шартларда көчәйтелгән эш башкару өчен эшләнгән, бу югары көч һәм температурага каршы торуны таләп итүче кушымталар өчен идеаль сайлау. Бу вафер белән бәйле төп продуктларга Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer һәм SiN Substrate керә. Бу материаллар төрле ярымүткәргеч җитештерү процессларында оптималь эшне тәэмин итәләр, энергияне сак тотучы һәм чыдамлы җайланмаларга мөмкинлек бирә.
Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, Кассета яки AlN Wafer белән эшләүче компанияләр өчен VET Energy's 6 Inch N Type SiC Wafer инновацион продукт үсеше өчен кирәкле нигез бирә. Powerгары көчле электроникадамы, яисә RF технологиясенең иң соңгысымы, бу ваферлар эффективлык һәм эш чикләрен этәреп, яхшы үткәрүчәнлекне һәм минималь җылылык каршылыгын тәэмин итәләр.
ВАФЕРИНГ үзенчәлекләре
* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым-лнсуляция
Предмет | 8-дюйм | 6-дюйм | 4-Инч | ||
nP | n-Pm | n-Мәд | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6ум | ≤6ум | |||
Bowәя (GF3YFCD) - Абсолют кыйммәт | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Сугыш (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR) -10mmx10mm | <2μм | ||||
Вафер кыры | Бевелинг |
ТОРМЫШ
* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым-лнсуляция
Предмет | 8-дюйм | 6-дюйм | 4-Инч | ||
nP | n-Pm | n-Мәд | SI | SI | |
Faceир өсте | Ике яклы Оптик Поляк, Si-Face CMP | ||||
SurfaceRoughness | (10ум х 10ум) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Кыр чиплары | Беркем дә рөхсәт ителмәгән (озынлык һәм киңлек≥0.5 мм) | ||||
Күрсәтмәләр | Беркем дә рөхсәт ителмәгән | ||||
Сызулар (Si-Face) | Qty.≤5, Кумулятив | Qty.≤5, Кумулятив | Qty.≤5, Кумулятив | ||
Ярыклар | Беркем дә рөхсәт ителмәгән | ||||
Кыр читен чыгару | 3 мм |