VET Energy продукт линиясе SiC ваферларында GaN белән чикләнми. Без шулай ук ярымүткәргеч субстрат материалларның киң ассортиментын тәкъдим итәбез, алар арасында Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer һ.б. Вафер, киләчәктә электроника индустриясенең югары җитештерүчәнлек җайланмаларына булган ихтыяҗын канәгатьләндерү өчен.
VET Energy сыгылучан хезмәт күрсәтә, һәм GaN эпитаксиаль катламнарын төрле калынлыктагы, төрле допинг һәм төрле вафер зурлыкларын клиентларның конкрет ихтыяҗлары буенча көйли ала. Моннан тыш, без шулай ук профессиональ техник ярдәм күрсәтәбез һәм сатудан соң хезмәт күрсәтәбез, клиентларга югары җитештерүчән электрон җайланмаларны тиз үстерергә булышу өчен.
ВАФЕРИНГ үзенчәлекләре
* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым-лнсуляция
Предмет | 8-дюйм | 6-дюйм | 4-Инч | ||
nP | n-Pm | n-Мәд | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6ум | ≤6ум | |||
Bowәя (GF3YFCD) - Абсолют кыйммәт | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Сугыш (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR) -10mmx10mm | <2μм | ||||
Вафер кыры | Бевелинг |
ТОРМЫШ
* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым-лнсуляция
Предмет | 8-дюйм | 6-дюйм | 4-Инч | ||
nP | n-Pm | n-Мәд | SI | SI | |
Faceир өсте | Ике ягы оптик поляк, Si-Face CMP | ||||
SurfaceRoughness | (10ум х 10ум) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Кыр чиплары | Беркем дә рөхсәт ителмәгән (озынлык һәм киңлек≥0.5 мм) | ||||
Күрсәтмәләр | Беркем дә рөхсәт ителмәгән | ||||
Сызулар (Si-Face) | Qty.≤5, Кумулятив | Qty.≤5, Кумулятив | Qty.≤5, Кумулятив | ||
Ярыклар | Беркем дә рөхсәт ителмәгән | ||||
Кыр читен чыгару | 3 мм |