Рекристализацияләнгән кремний карбидының үзенчәлекләре
Рекристизацияләнгән кремний карбид (R-SiC) - югары җитештерүчәнлек материалы, катылыгы бриллианттан кала, 2000 above югары температурада формалашкан. SiC-ның бик яхшы үзенчәлекләрен саклый, мәсәлән, югары температура көче, коррозиягә каршы тору, искиткеч оксидлашуга каршы тору, яхшы җылылык шокына каршы тору һ.б.
● Искиткеч механик үзлекләр. Рекристизацияләнгән кремний карбид углерод җепселенә караганда көчлерәк һәм каты, югары тәэсиргә каршы, экстремаль температура шартларында яхшы уйный ала, төрле ситуацияләрдә яхшырак баланс уйный ала. Моннан тыш, ул шулай ук яхшы сыгылучылыкка ия һәм сузылу һәм бөкләнү белән җиңел бозылмый, бу аның эшчәнлеген яхшырта.
● corrгары коррозиягә каршы тору. Рекристизацияләнгән кремний карбид төрле массакүләм мәгълүмат чараларына коррозиягә каршы тора, төрле коррозицион медиа эрозиясен булдыра ала, механик үзлекләрен озак саклый ала, көчле ябыштыра, хезмәт озынлыгы озынрак. Моннан тыш, ул шулай ук яхшы җылылык тотрыклылыгына ия, билгеле бер температура үзгәрүенә яраклаша ала, куллану эффектын яхшырта ала.
● Синтеринг кысылмый. Синтеринг процессы кыскармаганга, калдык стресс продуктның деформациясенә яки ярылуына китермәячәк, һәм катлаулы форма һәм югары төгәллек булган өлешләр әзерләнергә мөмкин.
| 重结晶碳化硅物理特性 Кремний карбидының рестральләштерелгән физик үзлекләре | |
| 性质 / Милек | 典型数值 / Типик кыйммәт |
| 使用温度/ Эш температурасы (° C) | 1600 ° C (кислород белән), 1700 ° C (әйләнә-тирә мохитне киметү) |
| SiC含量/ SiC эчтәлеге | > 99,96% |
| 自由Si 含量/ Бушлай Si эчтәлеге | <0,1% |
| 体积密度/Күпчелек тыгызлык | 2.60-2,70 г / см3 |
| 气孔率/ Күренгән күзәнәк | <16% |
| 抗压强度/ Кысу көче | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Салкын бөкләү көче | 80-90 MPa (20 ° C) |
| 高温抗弯强度Кайнар бөкләү көче | 90-100 MPa (1400 ° C) |
| 热膨胀系数/ Rылылык киңәюе @ 1500 ° C. | 4.70 10-6/ ° C. |
| 导热系数/Rылылык үткәрүчәнлеге @ 1200 ° C. | 23Вт / м • К. |
| 杨氏模量/ Эластик модуль | 240 GPa |
| 抗热震性/ Rылылык шокына каршы тору | Бик яхшы |
VET Energy .әр сүзнеңCVD каплаулы махсуслаштырылган графит һәм кремний карбид продуктларын җитештерүче,тәэмин итә алатөрлеярымүткәргеч һәм фотоволтаик индустрия өчен махсуслаштырылган өлешләр. OСезнең техник коллектив иң яхшы эчке тикшеренү институтларыннан, профессиональ материал чишелешләрен тәкъдим итә аласезнең өчен.
Алга киткән материаллар белән тәэмин итү өчен без алдынгы процессларны өзлексез үстерәбез,һәмкаплау белән субстрат арасындагы бәйләнешне катырак һәм отрядка азрак ясарга мөмкин булган эксклюзив патентланган технология эшләделәр.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC төп физик үзлекләрекаплау | |
| 性质 / Милек | 典型数值 / Типик кыйммәт |
| 晶体结构 / Бәллүр структурасы | FCC β фаза多晶，主要为（111 ）取向 |
| 密度 / Тыгызлыгы | 3.21 г / см³ |
| 硬度 / Каты | 2500 维氏硬度（ 500г йөк） |
| 晶粒大小 / SiZe ашлыгы | 2 ~ 10μм |
| 纯度 / Химик чисталык | 99.99995% |
| 热容 / Atылылык сыйдырышлыгы | 640 J · кг-1· К.-1 |
| 升华温度 / Сублимация температурасы | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Флексур көч | 415 MPa RT 4 балл |
| 杨氏模量 / Яшьләр модуле | 430 Gpa 4pt бөкләнү, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ТермаlUcткәрүчәнлек | 300W · м-1· К.-1 |
| 热膨胀系数 / Rылылык киңәюе (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Сезнең заводка килүегезне җылы каршы алабыз, әйдәгез алга таба фикер алышыйк!
-
Кремний С өчен SiC капланган графит ярты ай ...
-
Эпитакс җиһазлары өчен TaC капланган суссептор
-
CVD Кремний Карбид Каплау MOCVD Суссепторы
-
MOCVD мич өчен TaC капланган Вафер Суссепторы
-
Кремний карбид кристалл көймәсе өчен яңадан урнаштырылган ...
-
Performanceгары җитештерүчән тантал карбид капланган күзәнәкле ...