Bu 6 İnç N Tipi SiC Gofret, aşırı koşullarda gelişmiş performans için tasarlanmıştır ve bu da onu yüksek güç ve sıcaklık direnci gerektiren uygulamalar için ideal bir seçim haline getirir. Bu levhayla ilişkili temel ürünler arasında Si Gofret, SiC Substrat, SOI Gofret ve SiN Substrat yer alır. Bu malzemeler, çeşitli yarı iletken üretim süreçlerinde optimum performans sağlayarak cihazların hem enerji açısından verimli hem de dayanıklı olmasını sağlar.
Epi Gofret, Galyum Oksit Ga2O3, Kaset veya AlN Gofret ile çalışan şirketler için VET Energy'nin 6 İnç N Tipi SiC Gofret, yenilikçi ürün geliştirme için gerekli temeli sağlar. İster yüksek güçlü elektroniklerde ister en yeni RF teknolojisinde olsun, bu plakalar mükemmel iletkenlik ve minimum termal direnç sağlayarak verimlilik ve performansın sınırlarını zorluyor.
GOFRET ÖZELLİKLERİ
*n-Pm=n-tipi Pm-Sınıfı,n-Ps=n-tipi Ps-Sınıfı,Sl=Yarı Yalıtımlı
Öğe | 8 inç | 6 inç | 4 inç | ||
nP | n-Pm | n-P'ler | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Yay(GF3YFCD)-Mutlak Değer | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Çözgü(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Gofret Kenarı | Eğim verme |
YÜZEY FİNİŞİ
*n-Pm=n-tipi Pm-Sınıfı,n-Ps=n-tipi Ps-Sınıfı,Sl=Yarı Yalıtımlı
Öğe | 8 inç | 6 inç | 4 inç | ||
nP | n-Pm | n-P'ler | SI | SI | |
Yüzey İşlemi | Çift taraflı Optik Cila, Si-Face CMP | ||||
Yüzey Pürüzlülüğü | (10um x 10um) Si-YüzRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Yüz Ra≤0,2nm | |||
Kenar Cipsleri | Hiçbiri İzin Verilmez (uzunluk ve genişlik≥0,5 mm) | ||||
Girintiler | Hiçbirine İzin Verilmez | ||||
Çizikler(Si-Yüz) | Adet.≤5,Kümülatif | Adet.≤5,Kümülatif | Adet.≤5,Kümülatif | ||
Çatlaklar | Hiçbirine İzin Verilmez | ||||
Kenar Hariç Tutma | 3 mm |