Ang SiC coated suscetpor ay isang pangunahing sangkap na ginagamit sa iba't ibang proseso ng pagmamanupaktura ng semiconductor. Ginagamit namin ang aming patented na teknolohiya upang gawin ang SiC coated suscetpor na may napakataas na kadalisayan, magandang pagkakapareho ng coating at isang mahusay na buhay ng serbisyo, pati na rin ang mataas na chemical resistance at thermal stability properties.
Mga tampok ng aming mga produkto:
1. Mataas na temperatura paglaban sa oksihenasyon hanggang sa 1700 ℃.
2. Mataas na kadalisayan at pagkakapareho ng thermal
3. Napakahusay na paglaban sa kaagnasan: acid, alkali, asin at mga organikong reagents.
4. Mataas na tigas, compact na ibabaw, pinong mga particle.
5. Mas mahabang buhay ng serbisyo at mas matibay
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Mga pangunahing pisikal na katangian ng CVD SiCpatong | |
| 性质 / Ari-arian | 典型数值 / Karaniwang Halaga |
| 晶体结构 / Istraktura ng Kristal | FCC β phase多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Densidad | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Katigasan | 2500 维氏硬度（500g load） |
| 晶粒大小 / Sukat ng Butil | 2~10μm |
| 纯度 / Kadalisayan ng Kemikal | 99.99995% |
| 热容 / Kapasidad ng init | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura ng Sublimation | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Flexural na Lakas | 415 MPa RT 4-point |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt bend, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalKonduktibidad | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Thermal Expansion(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Malugod kang tinatanggap sa pagbisita sa aming pabrika, magkaroon pa tayo ng talakayan!
