Ang 8 Inch P Type Silicon Wafer mula sa VET Energy ay isang high-performance na silicon wafer na idinisenyo para sa malawak na hanay ng mga semiconductor application, kabilang ang mga solar cell, MEMS device, at integrated circuit. Kilala sa mahusay na conductivity ng kuryente at pare-parehong pagganap, ang wafer na ito ay ang gustong pagpipilian para sa mga tagagawa na naghahanap upang makagawa ng maaasahan at mahusay na mga bahagi ng elektroniko. Tinitiyak ng VET Energy ang mga tumpak na antas ng doping at isang de-kalidad na surface finish para sa pinakamainam na paggawa ng device.
Ang mga 8 Inch P Type Silicon Wafer na ito ay ganap na tugma sa iba't ibang materyales tulad ng SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, at angkop para sa paglaki ng Epi Wafer, na tinitiyak ang versatility para sa mga advanced na proseso ng pagmamanupaktura ng semiconductor. Ang mga wafer ay maaari ding gamitin kasabay ng iba pang high-tech na materyales tulad ng Gallium Oxide Ga2O3 at AlN Wafer, na ginagawa itong perpekto para sa mga susunod na henerasyong electronic application. Ang kanilang matatag na disenyo ay umaangkop din nang walang putol sa mga sistemang nakabatay sa Cassette, na tinitiyak ang mahusay at mataas na dami ng pangangasiwa sa produksyon.
Ang VET Energy ay nagbibigay sa mga customer ng mga customized na wafer solution. Maaari naming i-customize ang mga wafer na may iba't ibang resistivity, nilalaman ng oxygen, kapal, atbp. ayon sa mga partikular na pangangailangan ng mga customer. Bilang karagdagan, nagbibigay din kami ng propesyonal na teknikal na suporta at serbisyo pagkatapos ng pagbebenta upang matulungan ang mga customer na malutas ang iba't ibang mga problemang nararanasan sa proseso ng produksyon.
WAFERING SPECIFICATIONS
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
item | 8-pulgada | 6-pulgada | 4-pulgada | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Ganap na Halaga | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Beveling |
TAPUSAN SA ILAW
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
item | 8-pulgada | 6-pulgada | 4-pulgada | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Ibabaw ng Tapos | Double side Optical Polish,Si- Face CMP | ||||
Kagaspang sa Ibabaw | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Edge Chips | Walang Pinahintulutan (haba at lapad≥0.5mm) | ||||
Mga indent | Walang Pinahintulutan | ||||
Gasgas(Si-Mukha) | Dami.≤5, Pinagsama-sama | Dami.≤5, Pinagsama-sama | Dami.≤5, Pinagsama-sama | ||
Mga bitak | Walang Pinahintulutan | ||||
Pagbubukod ng Edge | 3mm |