Dik sütün wafli gaýyk we pyýada

Gysga düşündiriş:

Wet-Hytaýdan dik sütün wafli gaýyk we pyýada ýarymgeçiriji önümçiligi üçin wafli işlemekde has ýokary durnuklylygy we takyklygy hödürleýär. Wet-Hytaýyň ösen dizaýny bilen bu ulgam optimal deňleşmegi we ygtybarly saklanmagy üpjün edýär, amaly netijeliligi ýokarlandyrýar we wafli zeperini azaldýar.

Bize e-poçta iberiň PDF görnüşinde göçürip alyň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

weter-çina, ýarymgeçirijini kämilleşdirmek üçin giňişleýin çözgüt bolan wertikal sütün wafli gaýyk we pyýada täzeçilligini hödürleýär. Çuňňur takyklyk bilen işlenip düzülen bu wafli işlemek ulgamy, ýokary öndürijilikli önümçilik gurşawy üçin deňi-taýy bolmadyk durnuklylygy we deňleşmegi üpjün edýär.

Dik sütün wafli gaýyk we pyýada ýylylyk durnuklylygyny we himiki poslama garşylygy kepillendirýän premium materiallar bilen gurlup, ony iň talap edilýän ýarymgeçiriji ýasamak proseslerine laýyk edýär. Özboluşly wertikal sütün dizaýny, wafli ygtybarly goldaýar, ulag we gaýtadan işlemek wagtynda gabat gelmezlik töwekgelçiligini we potensial zeperleri azaldýar.

Wet-Hytaýyň Dik Sütün Wafer Boat & Pedestal-yň birleşmegi bilen ýarymgeçiriji öndürijiler öndürijiligiň gowulaşmagyna, iş wagtynyň azaldylmagyna we önümiň öndürijiliginiň ýokarlanmagyna garaşyp bilerler. Bu ulgam dürli önümçilik zerurlyklary üçin çeýeligi we göwrümliligini hödürleýän dürli wafli ululyklary we konfigurasiýalary bilen utgaşýar.

weter-çinanyň kämillige ygrarlylygy, her Dik sütün wafli gaýyk we pyýada iň ýokary hil we öndürijilik standartlaryna laýyk gelmegini üpjün edýär. Bu öňdebaryjy çözgüdi saýlamak bilen, ýarymgeçiriji önümçiliginde netijeliligi we ygtybarlylygy ýokarlandyrýan wafli işlemäge geljekde subutnamaly çemeleşmä maýa goýarsyňyz.

Gaýtadan gurlan kremniy karbidiň aýratynlyklary

Gaýtadan gurlan kremniý karbidi (R-SiC), 2000 above-dan ýokary temperaturada emele gelen göwherden soň ikinji orunda durýan ýokary öndürijilikli materialdyr. SiC-iň ýokary temperatura güýji, güýçli poslama garşylygy, ajaýyp okislenme garşylygy, gowy termiki zarba garşylygy we ş.m. ýaly köp ajaýyp aýratynlyklaryny saklaýar.

● Ajaýyp mehaniki häsiýetler. Gaýtadan gurlan kremniy karbid uglerod süýüminden has ýokary güýç we berklige, ýokary täsir garşylygyna, aşa temperatura şertlerinde gowy öndürijilik oýnap biler, dürli ýagdaýlarda has oňat deňagramlylyk oýnap biler. Mundan başga-da, oňat çeýeligi bar we uzalmagy we egilmegi bilen aňsat zaýalanmaýar, bu bolsa öndürijiligini ep-esli ýokarlandyrýar.

● corrokary poslama garşylyk. Gaýtadan gurlan kremniy karbid dürli habar beriş serişdelerine ýokary poslama garşylygy bar, dürli poslaýjy serişdeleriň eroziýasynyň öňüni alyp biler, mehaniki aýratynlyklaryny uzak wagtlap saklap biler, güýçli ýelmeşer we uzak ömri bolar ýaly. Mundan başga-da, oňat ýylylyk durnuklylygyna eýe, belli bir temperatura üýtgemegine uýgunlaşyp, ulanyş täsirini gowulandyryp biler.

Sin Sinter kiçelmeýär. Süzmek prosesi gysgalmaýandygy sebäpli, galyndy stres önümiň deformasiýasyna ýa-da ýarylmagyna sebäp bolmaz we çylşyrymly şekilli we ýokary takyklykly bölekler taýýarlanyp bilner.

重结晶碳化硅物理特性 Gaýtadan gurlan kremniy karbidiň fiziki aýratynlyklary
性质 / Emläk	典型数值 / Adaty baha
使用温度/ Iş temperaturasy (° C)	1600 ° C (kislorod bilen), 1700 ° C (daşky gurşawy azaltmak)
SiC含量/ SiC mazmuny	> 99,96%
自由Si 含量/ Mugt Si mazmuny	<0,1%
体积密度/Köp dykyzlygy	2.60-2,70 g / sm³
气孔率/ Görünýän gözenek	<16%
抗压强度/ Gysyş güýji	> 600MPa
常温抗弯强度/Sowuk egilme güýji	80-90 MPa (20 ° C)
高温抗弯强度Gyzgyn egilme güýji	90-100 MPa (1400 ° C)
热膨胀系数/ Malylylyk giňelişi @ 1500 ° C.	4.70 10^-6/ ° C.
导热系数/Malylylyk geçirijiligi @ 1200 ° C.	23W / m • K.
杨氏模量/ Elastik modul	240 GPa
抗热震性/ Malylylyk zarbasyna garşylyk	Örän gowy

HTB energiýasy theCVD örtükli ýöriteleşdirilen grafit we kremniý karbid önümlerini hakyky öndüriji,üpjün edip bilerdürliýarymgeçiriji we fotoelektrik pudagy üçin ýöriteleşdirilen bölekler. Our tehniki topary içerki gözleg institutlaryndan gelýär, has professional material çözgütleri berip bilerseniň üçin

Has ösen materiallar bilen üpjün etmek üçin ösen prosesleri yzygiderli ösdürýäris,weörtük bilen substratyň arasyndaky baglanyşygy has berkitip, aýrylmaga has ýykgyn edip biljek aýratyn patentlenen tehnologiýany işläp düzdüler.

CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-iň esasy fiziki aýratynlyklaryörtük
性质 / Emläk	典型数值 / Adaty baha
晶体结构 / Kristal gurluş	FCC β tapgyry多晶，主要为（111 ）取向
密度 / Dykyzlygy	3.21 g / sm³
硬度 / Gatylyk	2500 维氏硬度（ 500g ýük）
晶粒大小 / Galla SiZe	2 ~ 10μm
纯度 / Himiki arassalygy	99.99995%
热容 / Atylylyk kuwwaty	640 J · kg^-1· K.^-1
升华温度 / Sublimasiýa temperaturasy	2700 ℃
抗弯强度 / Fleksural güýç	415 MPa RT 4 bal
杨氏模量 / 'Aş modul	430 Gpa 4pt egilmek, 1300 ℃
导热系数 / TermalGeçirijilik	300W · m^-1· K.^-1
热膨胀系数 / Malylylyk giňelişi (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1