Wet-HytaýSilikon karbid keramikiÖrtük, gaty gaty we könelişen ýokary öndürijilikli gorag örtügidirkremniy karbid (SiC)ajaýyp himiki poslama garşylygy we ýokary temperatura durnuklylygyny üpjün edýän material. Bu aýratynlyklar ýarymgeçiriji önümçiliginde möhümdirSilikon karbid keramiki örtükýarymgeçiriji önümçilik enjamlarynyň esasy böleklerinde giňden ulanylýar.
Wet-Hytaýyň aýratyn rolySilikon karbid keramikiOndarymgeçiriji önümçiliginde örtük aşakdaky ýaly:
Enjamlaryň berkligini ýokarlandyrmak:Silikon karbid keramiki örtük Silikon karbid keramiki örtük, ýarymgeçiriji önümçilik enjamlary gaty ýokary berkligi we könelişme garşylygy bilen ajaýyp ýerüsti goragy üpjün edýär. Esasanam himiki buglaryň çökmegi (CVD) we plazma çişmegi ýaly ýokary temperaturaly we ýokary poslaýjy proses şertlerinde örtük enjamyň ýüzüne himiki eroziýa ýa-da fiziki eşikler zeper ýetmeginiň öňüni alyp biler we şeýlelik bilen hyzmat möhletini ep-esli uzaldyp biler. enjamlar we ýygy-ýygydan çalyşmak we bejermek sebäpli ýüze çykýan iş wagty azaltmak.
Amalyň arassalygyny ýokarlandyrmak:Ondarymgeçirijini öndürmek prosesinde ownuk hapalanma önümiň kemçiliklerine sebäp bolup biler. Silikon Karbid keramiki örtüginiň himiki inertligi, aşa şertlerde durnukly bolmaga mümkinçilik berýär, materialyň bölejikleriň ýa-da hapalaryň çykmagyna päsgel berýär we şeýlelik bilen prosesiň ekologiýa arassalygyny üpjün edýär. Bu, esasanam PECVD we ion implantasiýasy ýaly ýokary takyklygy we ýokary arassalygy talap edýän önümçilik ädimleri üçin möhümdir.
Malylylyk dolandyryşyny optimizirläň:Çalt ýylylyk gaýtadan işlemek (RTP) we okislenme prosesi ýaly ýokary temperaturaly ýarymgeçirijini gaýtadan işlemekde, Silikon Karbid keramiki örtüginiň ýokary ýylylyk geçirijiligi enjamyň içinde birmeňzeş temperatura paýlanmagyna mümkinçilik berýär. Bu, ýylylyk stresini we temperaturanyň üýtgemegi sebäpli ýüze çykýan maddy deformasiýany azaltmaga kömek edýär, şeýlelik bilen önüm öndürmegiň takyklygyny we yzygiderliligini ýokarlandyrýar.
Çylşyrymly proses gurşawyny goldaň:ICP efirlemek we PSS emele getiriş prosesi ýaly çylşyrymly atmosfera gözegçiligini talap edýän amallarda, Silikon Karbid keramiki örtüginiň durnuklylygy we okislenme garşylygy enjamyň uzak möhletli işleýşinde durnukly işlemegini üpjün edýär, material zaýalanmagy ýa-da enjamlaryň zaýalanmagy töwekgelçiligini azaldýar. daşky gurşawyň üýtgemegine.
CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-iň esasy fiziki aýratynlyklaryörtük | |
性质 / Emläk | 典型数值 / Adaty baha |
晶体结构 / Kristal gurluş | FCC β tapgyry多晶,主要为(111 )取向 |
密度 / Dykyzlygy | 3.21 g / sm³ |
硬度 / Gatylyk | 2500 维氏硬度( 500g ýük) |
晶粒大小 / Galla SiZe | 2 ~ 10μm |
纯度 / Himiki arassalygy | 99.99995% |
热容 / Atylylyk kuwwaty | 640 J · kg-1· K.-1 |
升华温度 / Sublimasiýa temperaturasy | 2700 ℃ |
抗弯强度 / Fleksural güýç | 415 MPa RT 4 bal |
杨氏模量 / 'Aş modul | 430 Gpa 4pt egilmek, 1300 ℃ |
导热系数 / TermalGeçirijilik | 300W · m-1· K.-1 |
热膨胀系数 / Malylylyk giňelişi (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Zawodymyza baryp görmegiňizi mähirli garşylaýarys, geliň mundan beýläk pikir alyşalyň!