kremniý karbid keramiki örtük gyzdyryjy

Gysga düşündiriş:

Hytaýda professional kremniy karbid keramiki örtük öndürijisi we üpjün edijisi hökmünde, Wet-Hytaýyň kremniy karbid keramiki örtügi ýarymgeçiriji önümçilik enjamlarynyň esasy böleklerinde, esasanam CVD we PECVD prosesleri gatnaşanda giňden ulanylýar. “Vet-China” ýokary öndürijilikli Silikon Karbid keramiki örtügini öndürmekde we üpjün etmekde ýöriteleşendir we ýarymgeçiriji pudagy üçin ösen tehnologiýa we önüm çözgütleri bilen üpjün etmegi maksat edinýär. Soraglaryňyza hoş geldiňiz.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Wet-HytaýSilikon karbid keramikiÖrtük, gaty gaty we könelişen ýokary öndürijilikli gorag örtügidirkremniy karbid (SiC)ajaýyp himiki poslama garşylygy we ýokary temperatura durnuklylygyny üpjün edýän material. Bu aýratynlyklar ýarymgeçiriji önümçiliginde möhümdirSilikon karbid keramiki örtükýarymgeçiriji önümçilik enjamlarynyň esasy böleklerinde giňden ulanylýar.

Wet-Hytaýyň aýratyn rolySilikon karbid keramikiOndarymgeçiriji önümçiliginde örtük aşakdaky ýaly:

Enjamlaryň berkligini ýokarlandyrmak:Silikon karbid keramiki örtük Silikon karbid keramiki örtük, ýarymgeçiriji önümçilik enjamlary gaty ýokary berkligi we könelişme garşylygy bilen ajaýyp ýerüsti goragy üpjün edýär. Esasanam himiki buglaryň çökmegi (CVD) we plazma çişmegi ýaly ýokary temperaturaly we ýokary poslaýjy proses şertlerinde örtük enjamyň ýüzüne himiki eroziýa ýa-da fiziki eşikler zeper ýetmeginiň öňüni alyp biler we şeýlelik bilen hyzmat möhletini ep-esli uzaldyp biler. enjamlar we ýygy-ýygydan çalyşmak we bejermek sebäpli ýüze çykýan iş wagty azaltmak.

Amalyň arassalygyny ýokarlandyrmak:Ondarymgeçirijini öndürmek prosesinde ownuk hapalanma önümiň kemçiliklerine sebäp bolup biler. Silikon Karbid keramiki örtüginiň himiki inertligi, aşa şertlerde durnukly bolmaga mümkinçilik berýär, materialyň bölejikleriň ýa-da hapalaryň çykmagyna päsgel berýär we şeýlelik bilen prosesiň ekologiýa arassalygyny üpjün edýär. Bu, esasanam PECVD we ion implantasiýasy ýaly ýokary takyklygy we ýokary arassalygy talap edýän önümçilik ädimleri üçin möhümdir.

Malylylyk dolandyryşyny optimizirläň:Çalt ýylylyk gaýtadan işlemek (RTP) we okislenme prosesi ýaly ýokary temperaturaly ýarymgeçirijini gaýtadan işlemekde, Silikon Karbid keramiki örtüginiň ýokary ýylylyk geçirijiligi enjamyň içinde birmeňzeş temperatura paýlanmagyna mümkinçilik berýär. Bu, ýylylyk stresini we temperaturanyň üýtgemegi sebäpli ýüze çykýan maddy deformasiýany azaltmaga kömek edýär, şeýlelik bilen önüm öndürmegiň takyklygyny we yzygiderliligini ýokarlandyrýar.

Çylşyrymly proses gurşawyny goldaň:ICP efirlemek we PSS emele getiriş prosesi ýaly çylşyrymly atmosfera gözegçiligini talap edýän amallarda, Silikon Karbid keramiki örtüginiň durnuklylygy we okislenme garşylygy enjamyň uzak möhletli işleýşinde durnukly işlemegini üpjün edýär, material zaýalanmagy ýa-da enjamlaryň zaýalanmagy töwekgelçiligini azaldýar. daşky gurşawyň üýtgemegine.

kremniý karbid keramiki örtük
Grafit gyzdyryjy (4)

CVD SiC薄膜基本物理性能

CVD SiC-iň esasy fiziki aýratynlyklaryörtük

性质 / Emläk

典型数值 / Adaty baha

晶体结构 / Kristal gurluş

FCC β tapgyry多晶,主要为(111 )取向

密度 / Dykyzlygy

3.21 g / sm³

硬度 / Gatylyk

2500 维氏硬度( 500g ýük)

晶粒大小 / Galla SiZe

2 ~ 10μm

纯度 / Himiki arassalygy

99.99995%

热容 / Atylylyk kuwwaty

640 J · kg-1· K.-1

升华温度 / Sublimasiýa temperaturasy

2700 ℃

抗弯强度 / Fleksural güýç

415 MPa RT 4 bal

杨氏模量 / 'Aş modul

430 Gpa 4pt egilmek, 1300 ℃

导热系数 / TermalGeçirijilik

300W · m-1· K.-1

热膨胀系数 / Malylylyk giňelişi (CTE)

4.5 × 10-6K-1

1

2

Zawodymyza baryp görmegiňizi mähirli garşylaýarys, geliň mundan beýläk pikir alyşalyň!

研发团队

 

生产设备

 

公司客户

 


  • Öňki:
  • Indiki:

  • WhatsApp onlaýn söhbetdeşlik!