Goňşy gämi gämisi

Gysga düşündiriş:

Wet-Hytaýdan gelýän “Gämi duralgasy” gämisi ýarymgeçiriji önümçiliginde wafli netijeli işlemek üçin niýetlenendir. Takyklyk bilen işlenip düzülen weter-Hytaýyň ergini, ýylylygy durnuklylygy we himiki garşylygy üpjün edýär, zyýany azaltmak we geçirijiligi ýokarlandyrmak bilen önümçilik proseslerini optimallaşdyrýar.

Bize e-poçta iberiň PDF görnüşinde göçürip alyň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

weter-çina ýarymgeçiriji önümçiliginiň indiki nesli üçin döredilen iň häzirki zaman “Gämi duralgasy” gämisini hödürleýär. Seresaplylyk bilen taýýarlanan bu gämi, wafli işlemekde deňsiz-taýsyz takyklygy hödürleýär, üznüksiz işlemegi üpjün edýär we gaýtadan işlenende zeper ýetmek howpuny ep-esli azaldýar.

Qualityokary hilli materiallar bilen gurlan “Goňşy Wafer” gämisi ýokary ýylylyk durnuklylygy we ajaýyp himiki garşylygy bilen ýokary temperatura we ýowuz himiki gurşaw üçin amatly bolýar. Onuň innowasiýa dizaýny, wafli ygtybarly saklanmagyny we ajaýyp sazlanmagyny üpjün edýär, geçirijiligi optimallaşdyrýar we önümçilik netijeliligini ýokarlandyrýar.

Bu iň soňky wafli gaýyk, dürli wafli ululyklaryny we konfigurasiýalaryny goldaýan häzirki zaman ýarymgeçiriji fablaryň talaplaryny kanagatlandyrmak üçin düzülendir. Weter-Hytaýdan “Goňşy Wafer” gämisini önümçilik liniýaňyza goşmak bilen, öndürijiligiň ýokarlanmagyna, iş wagtynyň azalmagyna we hasyl derejesiniň ýokarlanmagyna garaşyp bilersiňiz.

Icarymgeçiriji önümçiliginiň çäklerini öňe sürýän önümleri eltip, weter-Hytaýyň hil we innowasiýa ygrarlylygy bilen tapawudyny başdan geçiriň. “Goňşy wafer gämisini” saýlaň we wafli gaýtadan işlemek mümkinçilikleriňizi täze belentliklere çykaryň.

Gaýtadan gurlan kremniy karbidiň aýratynlyklary

Gaýtadan gurlan kremniy karbid (R-SiC), 2000 above-dan ýokary temperaturada emele gelen göwherden soň ikinji orunda durýan ýokary öndürijilikli materialdyr. SiC-iň ýokary temperatura güýji, güýçli poslama garşylygy, ajaýyp okislenme garşylygy, gowy termiki zarba garşylygy we ş.m. ýaly köp ajaýyp aýratynlyklaryny saklaýar.

● Ajaýyp mehaniki häsiýetler. Gaýtadan gurlan kremniy karbid uglerod süýüminden has ýokary güýç we berklige, ýokary täsir garşylygyna, aşa temperatura şertlerinde gowy öndürijilik oýnap biler, dürli ýagdaýlarda has oňat deňagramlylyk oýnap biler. Mundan başga-da, oňat çeýeligi bar we uzalmagy we egilmegi bilen aňsat zaýalanmaýar, bu bolsa öndürijiligini ep-esli ýokarlandyrýar.

● corrokary poslama garşylyk. Gaýtadan gurlan kremniy karbid dürli habar beriş serişdelerine ýokary poslama garşylygy bar, dürli poslaýjy serişdeleriň eroziýasynyň öňüni alyp biler, mehaniki aýratynlyklaryny uzak wagtlap saklap biler, güýçli ýelmeşer we uzak ömri bolar ýaly. Mundan başga-da, oňat ýylylyk durnuklylygyna eýe, belli bir temperatura üýtgemegine uýgunlaşyp, ulanyş täsirini gowulandyryp biler.

Sin Sinter kiçelmeýär. Süzmek prosesi gysgalmaýandygy sebäpli, galyndy stres önümiň deformasiýasyna ýa-da ýarylmagyna sebäp bolmaz we çylşyrymly şekilli we ýokary takyklykly bölekler taýýarlanyp bilner.

重结晶碳化硅物理特性 Gaýtadan gurlan kremniy karbidiň fiziki aýratynlyklary
性质 / Emläk	典型数值 / Adaty baha
使用温度/ Iş temperaturasy (° C)	1600 ° C (kislorod bilen), 1700 ° C (daşky gurşawy azaltmak)
SiC含量/ SiC mazmuny	> 99,96%
自由Si 含量/ Mugt Si mazmuny	<0,1%
体积密度/Köp dykyzlygy	2.60-2,70 g / sm³
气孔率/ Görünýän gözenek	<16%
抗压强度/ Gysyş güýji	> 600MPa
常温抗弯强度/Sowuk egilme güýji	80-90 MPa (20 ° C)
高温抗弯强度Gyzgyn egilme güýji	90-100 MPa (1400 ° C)
热膨胀系数/ Malylylyk giňelişi @ 1500 ° C.	4.70 10^-6/ ° C.
导热系数/Malylylyk geçirijiligi @ 1200 ° C.	23W / m • K.
杨氏模量/ Elastik modul	240 GPa
抗热震性/ Malylylyk zarbasyna garşylyk	Örän gowy

HTB energiýasy theCVD örtükli ýöriteleşdirilen grafit we kremniý karbid önümlerini hakyky öndüriji,üpjün edip bilerdürliýarymgeçiriji we fotoelektrik pudagy üçin ýöriteleşdirilen bölekler. Our tehniki topary içerki gözleg institutlaryndan gelýär, has professional material çözgütleri berip bilerseniň üçin

Has ösen materiallar bilen üpjün etmek üçin ösen prosesleri yzygiderli ösdürýäris,weörtük bilen substratyň arasyndaky baglanyşygy has berkitip, aýrylmaga has ýykgyn edip biljek aýratyn patentlenen tehnologiýany işläp düzdüler.

CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-iň esasy fiziki aýratynlyklaryörtük
性质 / Emläk	典型数值 / Adaty baha
晶体结构 / Kristal gurluş	FCC β tapgyry多晶，主要为（111 ）取向
密度 / Dykyzlygy	3.21 g / sm³
硬度 / Gatylyk	2500 维氏硬度（ 500g ýük）
晶粒大小 / Galla SiZe	2 ~ 10μm
纯度 / Himiki arassalygy	99.99995%
热容 / Atylylyk kuwwaty	640 J · kg^-1· K.^-1
升华温度 / Sublimasiýa temperaturasy	2700 ℃
抗弯强度 / Fleksural güýç	415 MPa RT 4 bal
杨氏模量 / 'Aş modul	430 Gpa 4pt egilmek, 1300 ℃
导热系数 / TermalGeçirijilik	300W · m^-1· K.^-1
热膨胀系数 / Malylylyk giňelişi (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1