6 Inç N görnüşi SiC Wafer

Bu 6 Inch N Type SiC Wafer, aşa güýçli we temperatura garşylygy talap edýän programmalar üçin iň amatly şert bolup, aşa şertlerde güýçlendirilen öndürijilik üçin işlenip düzülendir. Bu wafli bilen baglanyşykly esasy önümlere Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer we SiN Substrate degişlidir. Bu materiallar, energiýa tygşytlaýjy we çydamly enjamlara mümkinçilik berýän dürli ýarymgeçiriji önümçilik proseslerinde iň amatly öndürijiligi üpjün edýär.

“Epi Wafer”, “Gallium Oxide Ga2O3”, “Kasseta” ýa-da “AlN Wafer” bilen işleýän kompaniýalar üçin VET Energy-iň 6 Inch N Type SiC Wafer önümiň innowasiýa ösüşi üçin zerur binýady üpjün edýär. Powerokary kuwwatly elektronikada bolsun ýa-da iň täze RF tehnologiýasynda bolsun, bu wafli ajaýyp geçirijiligi we minimal ýylylyk garşylygyny üpjün edýär, netijeliligiň we öndürijiligiň çäklerini öňe sürýär.