“RTP / RTA” üçin “SiC örtük göterijisi” Çalt termiki gaýtadan işlemek we Annealing atly ýarymgeçiriji önümçilik prosesinde ulanylýan esasy komponent, kremniý karbid göterijisini aşa ýokary arassalygy, örtüginiň birmeňzeşligi we ajaýyp hyzmat ömri ýaly patentlenen tehnologiýamyzy ulanýarys. şeýle hem ýokary himiki garşylyk we ýylylyk durnuklylyk aýratynlyklary.
Önümlerimiziň aýratynlyklary:
1. 1700 up çenli ýokary temperatura okislenme garşylygy.
2. Highokary arassalyk we ýylylyk birmeňzeşligi
3. Ajaýyp poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.
4. hardokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.
5. Uzak hyzmat möhleti we has çydamly
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-iň esasy fiziki aýratynlyklaryörtük | |
| 性质 / Emläk | 典型数值 / Adaty baha |
| 晶体结构 / Kristal gurluş | FCC β tapgyry多晶，主要为（111 ）取向 |
| 密度 / Dykyzlygy | 3.21 g / sm³ |
| 硬度 / Gatylyk | 2500 维氏硬度（ 500g ýük） |
| 晶粒大小 / Galla SiZe | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Himiki arassalygy | 99.99995% |
| 热容 / Atylylyk kuwwaty | 640 J · kg-1· K.-1 |
| 升华温度 / Sublimasiýa temperaturasy | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Fleksural güýç | 415 MPa RT 4 bal |
| 杨氏模量 / 'Aş modul | 430 Gpa 4pt egilmek, 1300 ℃ |
| 导热系数 / TermalGeçirijilik | 300W · m-1· K.-1 |
| 热膨胀系数 / Malylylyk giňelişi (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
VET Energy, SiC örtügi, TaC örtügi, aýna uglerod örtügi, pirolitiki uglerod örtügi we ş.m. ýaly dürli örtükli ýöriteleşdirilen grafit we kremniy karbid önümleriniň hakyky öndürijisidir, ýarymgeçiriji we fotoelektrik senagaty üçin dürli ýöriteleşdirilen bölekleri üpjün edip biler.
Tehniki toparymyz içerki gözleg institutlaryndan gelýär, size has professional material çözgütleri berip biler.
Has ösen materiallar bilen üpjün etmek üçin öňdebaryjy prosesleri yzygiderli ösdürýäris we örtük bilen substratyň arasyndaky baglanyşygy has berkitip, aýrylmaga has ýykgyn edip biljek aýratyn patentlenen tehnologiýany taýýarladyk.
Zawodymyza baryp görmegiňizi mähirli garşylaýarys, geliň mundan beýläk pikir alyşalyň!
