Icarymgeçiriji öndürmek üçin 12 dýuým kremniy wafli

Gysga düşündiriş:

“VET Energy” 12 dýuým kremniý wafli ýarymgeçiriji önümçilik pudagynyň esasy materiallarydyr. VET Energy, ýarymgeçiriji enjamlaryňyz üçin berk we ygtybarly substraty üpjün edip, waflleriň ajaýyp kristal hiline, pes kemçilik dykyzlygyna we ýokary birmeňzeşligine eýe bolmak üçin ösen CZ ösüş tehnologiýasyny ulanýar.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

“VET Energy” tarapyndan hödürlenýän ýarymgeçiriji önümçiligi üçin 12 dýuým kremniy wafli ýarymgeçiriji pudagynda talap edilýän takyk standartlara laýyk gelýär. Biziň hatarymyzda öňdebaryjy önümleriň biri hökmünde VET Energy bu wafli takyklygy, arassalygy we ýerüsti hili bilen öndürilmegini üpjün edýär, bu bolsa mikroçipler, datçikler we ösen elektron enjamlary ýaly iň soňky ýarymgeçiriji programmalar üçin amatly bolýar.

Bu wafli, Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate we Epi Wafer ýaly köp sanly material bilen utgaşyp, dürli ýasama amallary üçin ajaýyp köpugurlylygy üpjün edýär. Mundan başga-da, “Gallium Oxide Ga2O3” we “AlN Wafer” ýaly ösen tehnologiýalar bilen gowy jübütleşýär we ýokary hünärli programmalara goşulyp biljekdigini üpjün edýär. Göwnejaý işlemek üçin, ýarymgeçiriji önümçiliginde netijeli işlemegi üpjün edip, senagat standart kaset ulgamlary bilen ulanmak üçin wafli optimallaşdyrylýar.

“VET Energy” -niň önüm çyzgysy diňe kremniý wafli bilen çäklenmeýär. Şeýle hem, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer we ş.m. ýaly ýarymgeçiriji substrat materiallarynyň giň toplumyny, şeýle hem Gallium Oxide Ga2O3 we AlN Wafer ýaly giň zolakly ýarymgeçiriji materiallary hödürleýäris. Bu önümler elektrik elektronikasynda, radio ýygylygynda, datçiklerde we beýleki ugurlarda dürli müşderileriň isleglerini kanagatlandyryp biler.

Arza ýerleri:
Logika çipleri:CPU we GPU ýaly ýokary öndürijilikli logiki çipleri öndürmek.
Oryat çipleri:DRAM we NAND Flash ýaly ýat çiplerini öndürmek.
Analog çipler:ADC we DAC ýaly analog çipleri öndürmek.
Sensorlar:MEMS datçikleri, şekil datçikleri we ş.m.

VET Energy müşderilere ýöriteleşdirilen wafli çözgütleri bilen üpjün edýär we müşderileriň aýratyn zerurlyklaryna görä dürli garşylyk, dürli kislorod düzümi, dürli galyňlyk we beýleki aýratynlyklar bilen wafli düzüp bilýär. Mundan başga-da, müşderilere önümçilik proseslerini optimizirlemek we önüm öndürijiligini ýokarlandyrmak üçin hünär tehniki goldawy we satuwdan soňky hyzmaty hödürleýäris.

第 6 页 -36
第 6 页 -35

WAFERING aýratynlyklary

* n-Pm = n görnüşli Pm-Grade, n-Ps = n görnüşli Ps-Grade, Sl = -arym lsulýasiýa

Haryt

8-inç

6-inç

4-inç

nP

n-Pm

n-Zeb

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Aý (GF3YFCD) - Jemi baha

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV (SBIR) -10mmx10mm

<2μm

Wafer gyrasy

Beveling

SURFACE FINISH

* n-Pm = n görnüşli Pm-Grade, n-Ps = n görnüşli Ps-Grade, Sl = -arym lsulýasiýa

Haryt

8-inç

6-inç

4-inç

nP

n-Pm

n-Zeb

SI

SI

Surface Finish

Iki taraplaýyn optiki polýak, Si-Face CMP

SurfaceRoughness

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Gyrasy çipleri

Hiç birine rugsat berilmedi (uzynlygy we ini≥0.5mm)

Görkezmeler

Hiç birine rugsat berilmedi

Dyrnaklar (Si-Face)

5-nji kwartal
Uzynlygy≤0.5 × wafli diametri

5-nji kwartal
Uzynlygy≤0.5 × wafli diametri

5-nji kwartal
Uzynlygy≤0.5 × wafli diametri

Acksaryklar

Hiç birine rugsat berilmedi

Gyradan çykarmak

3mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Öňki:
  • Indiki:

  • WhatsApp onlaýn söhbetdeşlik!