Silikon Karbid (SiC) epitaksial wafli

VET Energy kremniy karbid (SiC) epitaksial wafli, ýokary temperatura garşylygy, ýokary ýygylygy we ýokary güýç aýratynlyklary bilen ýokary öndürijilikli giň zolakly ýarymgeçiriji materialdyr. Elektrik enjamlarynyň täze nesli üçin ideal substrat. VET Energy, SiC substratlarynda ýokary hilli SiC epitaksial gatlaklaryny ösdürip ýetişdirmek üçin ösen MOCVD epitaksial tehnologiýany ulanýar, wafliň ajaýyp öndürijiligini we yzygiderliligini üpjün edýär.

Silikon Karbid (SiC) Epitaksial Wafer, Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer we SiN Substrate ýaly dürli ýarymgeçiriji materiallar bilen ajaýyp utgaşyklygy hödürleýär. Ygtybarly epitaksial gatlagy bilen, Epi Waferiň ösüşi we Gallium Oxide Ga2O3 we AlN Wafer ýaly materiallar bilen integrasiýa ýaly ösen prosesleri goldaýar, dürli tehnologiýalarda köptaraply ulanylmagyny üpjün edýär. Senagat standartly kasetany işlemek ulgamlary bilen utgaşykly bolmak üçin döredilen, ýarymgeçiriji ýasama gurşawynda netijeli we tertipli amallary üpjün edýär.

VET Energy-iň önüm çyzgysy diňe SiC epitaksial wafli bilen çäklenmeýär. Şeýle hem, Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer we ş.m. ýaly ýarymgeçiriji substrat materiallarynyň giň toplumyny hödürleýäris. Mundan başga-da, Gallium Oxide Ga2O3 we AlN ýaly täze giň zolakly ýarymgeçiriji materiallary işjeň ösdürýäris. Wafer, geljekde elektrik elektronikasynyň ýokary öndürijilikli enjamlara bolan islegini kanagatlandyrmak üçin.