RF üçin Silikon Waferde GaN

Silikon waferdäki VET Energy GaN, radio ýygylygy (RF) programmalary üçin ýörite döredilen iň soňky ýarymgeçiriji çözgütdir. Silikon substratda epitaksial ösýän ýokary hilli galliý nitridi (GaN) ösdürip, VET Energy köp sanly RF enjamlary üçin tygşytly we ýokary öndürijilikli platforma üpjün edýär.

Silikon wafli boýunça bu GaN, Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer we SiN Substrate ýaly beýleki materiallar bilen gabat gelýär we dürli ýasama amallary üçin köpugurlylygyny giňeldýär. Mundan başga-da, “Epi Wafer” we “Gallium Oxide Ga2O3” we “AlN Wafer” ýaly ösen materiallar bilen ulanmak üçin amatlylaşdyrylýar, bu bolsa güýçli elektronikada ulanylyşyny hasam güýçlendirýär. Wafli, ulanylyş aňsatlygy we önümçiligiň netijeliligini ýokarlandyrmak üçin adaty kaset işleýşini ulanyp, önümçilik ulgamlaryna bökdençsiz integrasiýa üçin niýetlenendir.

VET Energy, Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 we AlN Wafer ýaly ýarymgeçiriji substratlaryň giňişleýin bukjasyny hödürleýär. Dürli önüm liniýamyz, elektronikadan başlap, RF we optoelektronika çenli dürli elektroniki programmalaryň isleglerini kanagatlandyrýar.

Silikon Waferdäki GaN, RF programmalary üçin birnäçe artykmaçlygy hödürleýär:

       • frequokary ýygylykly öndürijilik:GaN-iň giň zolakly we ýokary elektron hereketi ýokary ýygylykly işlemäge mümkinçilik berýär we 5G we beýleki ýokary tizlikli aragatnaşyk ulgamlary üçin amatly edýär.
     • powerokary güýç dykyzlygy:GaN enjamlary, kremniý esasly enjamlar bilen deňeşdirilende has ýokary dykyzlygy dolandyryp biler, bu bolsa has ykjam we täsirli RF ulgamlaryna sebäp bolar.
       • Kuwwatlylygy az sarp etmek:GaN enjamlary az energiýa sarp edýär, netijede energiýa netijeliligi ýokarlanýar we ýylylygyň ýaýramagy azalýar.

Goýmalar:

       • 5G simsiz aragatnaşyk:Silikon wafli boýunça GaN ýokary öndürijilikli 5G esasy stansiýalary we ykjam enjamlary gurmak üçin zerurdyr.
     • Radar ulgamlary:GaN esasly RF güýçlendirijileri ýokary netijeliligi we giň zolakly giňligi üçin radar ulgamlarynda ulanylýar.
   Sputnik aragatnaşygy:GaN enjamlary ýokary güýçli we ýokary ýygylykly hemra aragatnaşyk ulgamlaryny üpjün edýär.
     • Harby elektronika:GaN esasly RF komponentleri elektron söweş we radar ulgamlary ýaly harby programmalarda ulanylýar.

VET Energy, dürli doping derejelerini, galyňlygyny we wafli ululyklaryny goşmak bilen, aýratyn talaplaryňyza laýyk gelýän Silikon wafli boýunça özleşdirilip bilinýän GaN hödürleýär. Bilermenler toparymyz, üstünlikleriňizi üpjün etmek üçin tehniki goldaw we satuwdan soň hyzmat edýär.