เรือ/ทาวเวอร์ SiC Wafer

รายละเอียดสินค้า

ผลิตภัณฑ์Dคำอธิบาย

เรือเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในฐานะผู้ถือเวเฟอร์ในกระบวนการแพร่กระจายที่อุณหภูมิสูง

ข้อดี:

ทนต่ออุณหภูมิสูง:ใช้งานปกติที่ 1800 ℃

การนำความร้อนสูง:เทียบเท่ากับวัสดุกราไฟท์

มีความแข็งสูง:ความแข็งรองจากเพชร โบรอนไนไตรด์

ความต้านทานการกัดกร่อน:กรดและด่างแก่ไม่มีการกัดกร่อน ความต้านทานการกัดกร่อนดีกว่าทังสเตนคาร์ไบด์และอลูมินา

น้ำหนักเบา:ความหนาแน่นต่ำ ใกล้กับอลูมิเนียม

ไม่มีการเสียรูป: ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนต่ำ

ทนต่อแรงกระแทกจากความร้อน:สามารถทนต่อการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิที่คมชัด ทนต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิ และมีเสถียรภาพ

คุณสมบัติทางกายภาพของ SiC

คุณสมบัติ	ค่า	วิธี
ความหนาแน่น	3.21 ก./ซีซี	อ่างล้างจานและมิติ
ความร้อนจำเพาะ	0.66 เจ/กรัม °K	แฟลชเลเซอร์แบบพัลส์
ความแข็งแรงของแรงดัดงอ	450 เมกะปาสคาล560 เมกะปาสคาล	โค้ง 4 จุด, โค้ง RT4 จุด, 1300°
ความเหนียวแตกหัก	2.94 เมกะพาสคัล ลบ.ม./2	การเยื้องระดับไมโคร
ความแข็ง	2800	วิคเกอร์ส โหลด 500ก
โมดูลัสยืดหยุ่น โมดูลัสของยัง	450 เกรดเฉลี่ย 430 เกรดเฉลี่ย	โค้งงอ 4 พอยต์, งอ RT4 พอยต์, 1300 °C
ขนาดเกรน	2 – 10 ไมโครเมตร	เอสอีเอ็ม

คุณสมบัติทางความร้อนของ SiC

การนำความร้อน	250 วัตต์/ม.°เคลวิน	วิธีแฟลชด้วยเลเซอร์ RT
การขยายความร้อน (CTE)	4.5 x 10-6 °เคล	อุณหภูมิห้องถึง 950 °C, ซิลิกาไดลาโตมิเตอร์