ตัวรับถังกราไฟท์ Epitaxial Epi

ตัวรับถังกราไฟท์ Epitaxial Epi

ตัวรับถังกราไฟท์ Epitaxial Epiเป็นอุปกรณ์รองรับและอุปกรณ์ทำความร้อนที่ออกแบบมาเป็นพิเศษ ซึ่งใช้ในการยึดและให้ความร้อนแก่พื้นผิวเซมิคอนดักเตอร์ในระหว่างกระบวนการผลิต เช่น กระบวนการตกตะกอนหรือ Epitaxy

โครงสร้างโดยทั่วไปจะมีลักษณะเป็นทรงกระบอกหรือทรงกระบอกเล็กน้อย พื้นผิวมีช่องหรือแท่นหลายช่องสำหรับวางเวเฟอร์ อาจเป็นแบบแข็งหรือแบบกลวง ขึ้นอยู่กับวิธีการให้ความร้อน

หน้าที่หลักของตัวรับถัง epitaxis:

- การสนับสนุนพื้นผิว: จับเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์หลายตัวอย่างปลอดภัย
-แหล่งความร้อน: ให้อุณหภูมิสูงที่จำเป็นสำหรับการเจริญเติบโตโดยการให้ความร้อน
- ความสม่ำเสมอของอุณหภูมิ: ช่วยให้มั่นใจได้ถึงความร้อนที่สม่ำเสมอของพื้นผิว
- การหมุน: มักจะหมุนระหว่างการเจริญเติบโตเพื่อปรับปรุงความสม่ำเสมอของอุณหภูมิและการกระจายก๊าซ

หลักการทำงานของตัวรับถังกราไฟท์ Epi:
- ในเครื่องปฏิกรณ์แบบเอพิแทกเซียล ตัวรับแบบบาร์เรลจะถูกให้ความร้อนจนถึงอุณหภูมิที่ต้องการ (โดยทั่วไปคือ 1,000°C-1200°C สำหรับซิลิคอนเอพิแทกซี)
- ตัวรับถังหมุนเพื่อให้แน่ใจว่ามีการกระจายอุณหภูมิและการไหลของก๊าซสม่ำเสมอ
-ก๊าซปฏิกิริยาสลายตัวที่อุณหภูมิสูง ก่อตัวเป็นชั้น epitaxial บนพื้นผิวของสารตั้งต้น

การใช้งาน:
-ใช้เป็นหลักสำหรับการเจริญเติบโตของซิลิคอนอีพิเทกเซียล
- สามารถใช้ได้กับ epitaxy ของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์อื่นๆ เช่น GaAs, InP เป็นต้น

VET Energy ใช้กราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูงพร้อมการเคลือบ CVD-SiC เพื่อเพิ่มความเสถียรทางเคมี:

ข้อดีของ VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor:

- เสถียรภาพที่อุณหภูมิสูง
- ความสม่ำเสมอทางความร้อนที่ดี
- สามารถประมวลผลหลายพื้นผิวพร้อมกัน ปรับปรุงประสิทธิภาพการผลิต
-เฉื่อยทางเคมี รักษาสภาพแวดล้อมการเจริญเติบโตที่มีความบริสุทธิ์สูง